三星1dnm DRAM良品率未达标，或导致HBM5E推迟量产

，这些环节对于维持稳定生产至关重要。今年2月三星开始量产HBM4，结合了4nm基础裸片（Base Die），并搭配1cnm（第六代10nm级别）工艺制造DRAM芯片。随着HBM4步入正轨，最近传出三星决定加快后续HBM产品的开发工作，将开发周期从2年缩短至1年，使其能够以更快的速度发布下一代HBM产品。

据Wccftech报道，最近有消息人士透露，三星基于1dnm（第七代10nm级别）工艺制造的DRAM芯片在试生产期间，良品率低于预期，计划无限期推迟大规模生产，直到良品率达到目标。三星可能通过重新全面审查工艺流程，以进一步提高良品率。

三星原来打算将1dnm工艺制造的DRAM芯片用于HBM5E，也就是第九代HBM解决方案。也就是说除了HBM4外，目前1cnm工艺制造的DRAM芯片还将用于HBM4E和HBM5，连续三代HBM产品。传闻三星可能升级下一代HBM的基础裸片，改用更先进的2nm工艺。

三星已经投入更多资源在1dnm工艺制造的DRAM芯片上，正在韩国建设一座新工厂。据了解，该工厂占地面积约四个标准足球场那么大，除了生产DRAM芯片，还会负责封装、测试、物流和品控等工作，这些环节对于维持稳定的生产至关重要。

超能网**

**关注我们，浏览热门硬件评测

随时查看最新天梯榜