ASML High-NA EUV光刻机量产,2nm芯片制造落地

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05-21 02:03

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1. 都2026年了,为什么ASML还在研究“上一代”DUV?【硅谷101】

2. AI 这波最先被看见的,是大模型、算力卡和服务器。 但真正闷声发财的,往往是更上游的那批公司。AI 已经不只是把逻辑芯片厂推着往前跑,连存储厂都被逼得开始疯狂抢 ASML 的 EUV 光刻机了。过去大家一提到 EUV,第一反应 usually 都是先进制程、手机芯片、AI GPU。 但现在情况变了。随着 AI 基建持续扩张,HBM、DRAM、NAND 这些存储环节的重要性越来越高,三星、SK 海力士这些厂商也开始急着扩产、抢设备,生怕后面卡在产能上。这件事真正值得注意的地方,不只是“ASML 订单又爆了”,而是AI 的冲击已经一路传导到了半导体最上游。 以前是算力芯片紧张,现在连存储厂都要冲进来买最先进设备,说明这轮 AI 需求不是局部热,而是在把整条产业链一起往上拽。对 ASML 来说,这当然是好事。 订单更强、客户更急、全年预期也被继续往上抬。可另一面也说明,半导体行业接下来只会更卷:设备交付更紧、扩产节奏更快、上游资源争夺也会更激烈。AI 不只带火了芯片厂,也把存储大厂逼进了抢设备大战,而 ASML 正站在这场扩产潮最赚钱的位置上。

3. 华尔街评ASML财报:Q2指引“瑕不掩瑜”,先进制程+存储芯片需求动能依然强劲

4. 大新闻:据路透社报道,阿斯麦(ASML)的研究人员表示,他们已找到提升关键芯片制造设备光源功率的方法,到 2030 年可将芯片产量提高多达 50%。阿斯麦 NXE 系列 EUV 光刻机业务执行副总裁滕・梵高(Teun van Gogh)表示,到 2030 年,升级后的设备每小时可处理约 330 片晶圆,而目前为 220 片。根据芯片尺寸的不同,每片晶圆可产出数百到数千颗芯片

5. 台积电 N2 制程正式量产,苹果、AMD 为首批客户 3月30日,台积电宣布其 2nm 工艺(N2)正式进入量产阶段,苹果 A19、AMD Zen 5 架构处理器为首批客户,预计二季度开始批量出货。N2 制程采用全新纳米片晶体管架构,性能较 3nm 提升 15%,功耗降低 30%,芯片密度提升 1.6 倍,是当前全球最先进的半导体工艺。此次量产标志全球半导体制造进入 2nm 时代,将推动智能手机、PC、服务器、AI 芯片等产品性能全面升级。受限于产能,N2 初期主要供应高端客户,预计 2027 年实现大规模量产。对国内半导体产业而言,2nm 量产进一步拉大与国际先进水平差距,加速国产 28nm 及以上成熟工艺替代进程,同时推动先进封装、Chiplet 等技术创新。#ai创造营#

6. 不止EUV光刻机:ASML计划进军先进封装赛道。看到这个消息,我感慨万千。以前ASML靠光刻机称霸全球。现在它也要做先进封装了。为什么?因为AI芯片太火了。传统光刻机已经不够用了。封装技术成为新的战场。这就是芯片行业的趋势:单点突破不够了。要全链路布局。才能赢。#ASML##光刻机##AI##芯片##半导体#

7. 这说的应该是华为麒麟芯片,采用背对背立体pn结的那个封装晶体管密度提升巨大,大概可以从6-7nm,提升到等效台积电4nm左右,这条技术路线,哪怕在未来也有巨大价值和ASML努力提升平面晶体管密度不同,靠封装突围,是中国半导体制造未来2-3年输出高制程的关键再下一步,就是光刻机突破EUV,再叠加上述封装,突破2-3nm中国半导体制造已经走出一条可迭代、可演进的完整独立自主技术路线

8. 国产高端光刻机什么时候才能造出来?!?

9. 【台积电亮出新一代芯片技术 拟绕开ASML天价设备】据媒体报道,台积电周三公布了其最新一代芯片制造技术,并透露,即便不使用阿斯麦昂贵的新一代光刻设备,也能制造出更小、更快的芯片。此次公布了两项技术改进:一项名为“A13”,计划于2029年投入量产,有望应用于人工智能芯片。另一项名为“N2U”,是一种更具成本效益的方案,适用于手机、笔记本电脑及AI芯片等产品。台积电计划继续挖掘荷兰供应商阿斯麦现有极紫外光刻机(EUV)的潜力,而非转向更新一代的高数值孔径极紫外光刻机(High-NA EUV)。后者每台售价高达4亿美元,约为此前机型成本的两倍。台积电首席运营官兼高级副总经理Kevin Zhang表示:“我认为,我们的研发部门在利用现有EUV技术方面表现非常出色,同时设定了积极的技术微缩路线图。这绝对是我们的一大优势。”

10. 日本百年光学巨头尼康发布了极其惨淡的2025财年业绩预告,预计将出现高达850亿日元的巨额亏损,创下公司成立以来的历史最差纪录。数据显示,尼康光刻机业务已陷入绝境,过去半年仅出货9台设备,且全部为技术陈旧的成熟制程老款,毫无高端竞争力。而同期荷兰ASML狂销160台,其中高端EUV光刻机占20余台,技术代差极其显著。市场份额方面,尼康曾在2001年占据全球光刻机市场约40%份额,如今按金额计算已跌至个位数,沦为全球第三,被ASML与佳能远远甩开。深层原因在于技术路线的连环失误,尼康早年错失浸没式光刻技术先机,又在EUV研发中坚持"全自研"策略,被排除在ASML主导的EUV联盟之外,核心光源技术遭切断。超千亿日元的EUV投入最终仅换来无法商用的原型机,商业化开发被迫终止,彻底错失技术迭代窗口。

11. 美国先突破稀土全自主供应,还是中国先突破EUV光刻机全自主制造?

12. 北美技术论坛上,台积电又发布了A13、A12两代工艺,都是在2029年问世,属于A14节点的增强版。更重要的是,台积电这次还正式对下一代EUV光刻机的愿景做了回应,CEO魏哲家表示不会购买High NA EUV光刻机。这一句话让唯一能生产EUV光刻机的ASML公司股价暴跌5.5个点,该公司市值超过4600亿美元,一年来股价翻倍,今年以来也涨了30%多。台积电不买的直接原因是太贵,High NA EUV光刻机的售价达到了3.5亿欧元,差不多就是4亿美元,比当前的EUV光刻机价格贵了一倍左右。CEO张忠谋的评价是High NA EUV光刻机非常非常贵(very, very expensive)。

13. ASML一季度EUV光刻机订单超80台创纪录!积压订单飙至450亿欧元,全年营收指引400亿欧元,High-NA交付5-6台锁定2nm以下制程霸权

14. ASML:High NA EUV 光刻机,2027~2028年实现大规模量产

15. 英特尔安装全球首台商用High-NA EUV光刻机!14A进程冲刺量产,制程革命近在眼前

16. ASML:High NA EUV光刻机2027-2028年大规模量产

17. 首台天价光刻机安装!精度突破0.7nm

18. 高NA EUV光刻机量产!2027-28年布局

19. ASML CEO:预计High-NA EUV光刻机2027~2028年用于先进制程大规模量产

20. 【海外芯跳】High-NA EUV 正式量产:光刻垄断从技术领先转为收入护城河 | 0417

21. 首台"二代"High NA EUV光刻机完成验收测试

22. ASML突破千瓦级EUV光源:芯片产出速度提升50% ASML突破千瓦级EUV光源:芯片产出速度提升50%,筑高技术壁垒\n2月24日,全球半导体设备巨头ASML宣布了一项关键技术突破:成功研发出能稳定输出1000瓦(1kW)功率的极紫外(EUV)光源系统,并已在客户量产环境中稳定运行。预计到2030年,这项技术将使单台光刻机的芯片产出量提升50%。\n这一突破并非简单的\"加大火力\",而是通过两项底层创新从根本上优化了能量转换效率:一是将锡滴喷射频率从每秒约5万个提升至约10万个,倍增了光子产生的\"原材料\";二是采用\"双脉冲串\"激光策略,先对锡滴进行预处理整形,再进行主轰击,显著提升了激光能量向EUV光子的转化率。\n在EUV光刻中,光源功率直接决定设备吞吐量。现有量产机型光源功率长期徘徊在600瓦,而千瓦级突破意味着光刻胶曝光时间大幅缩短,单台设备的晶圆处理能力有望从每小时220片提升至330片左右。对于晶圆厂而言,这直接转化为产能增加和单位成本优化,在AI芯片需求激增的背景下意义重大。\n科罗拉多州立大学激光物理学权威Jorge J. Rocca评价称,这是一项涉及流体力学、高能激光物理、等离子体动力学的系统工程突破,能在工业级量产设备上稳定实现千瓦级输出\"令人惊叹\"。\n从竞争格局看,ASML此时披露这一进展,也是在提高EUV技术的准入门槛。当美国xLight、Substrate等本土替代方案和中国自主研发仍在为几百瓦稳定输出努力时,ASML通过提升功率密度和产出效率,进一步降低了客户的单片制造成本,筑起更高技术壁垒。\nASML透露,千瓦级光源将主要应用于现有NXE:3800E配置及未来高数值孔径EXE系列机型。公司已看到通往1500瓦甚至2000瓦的清晰技术路径,但也承认千瓦级意味着热负荷急剧增加,对冷却系统、氢气流控制及光学组件稳定性提出更高要求。\nhttps://www.reuters.com/world/china/asml-unveils-euv-light-source-advance-that-could-yield-50-more-chips-by-2030-2026-02-23/

23. ASML 2nm光刻机卖不动了?台积电嫌贵,中国买不到,荷兰人傻眼了

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38. ASML:新一代High-NA EUV光刻机已具备量产能力

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43. 6202年了,EUV光刻机啥样了

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48. 阿斯麦新一代EUV光刻机可量产 单台造价4亿美元为初代两倍 已加工50万片硅晶圆

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50. 阿斯麦新一代EUV光刻机据悉已具备量产条件

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52. 突破!英特尔与ASML完成第二代High-NA EUV光刻机验收,量产在即

53. 造一台成本4亿美元!新一代EUV光刻机量产,采用0.55孔径光学系统

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55. ASML下一代EUV设备已可用于量产,AI芯片生产迎关键转折

56. 消息称阿斯麦新一代EUV光刻机已具备量产条件,造价约4亿美元

57. 消息称阿斯麦ASML新一代EUV光刻机已具备量产条件,单台成本约4亿美元

58. [中配]ASML 4亿美金高数值孔径机革新芯片生产 - CNBC

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60. EUV之后,没有下一个EUV——ASML的问题,不是技术,而是节奏

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