三星开发了业界首款12nm DDR5 DRAM，预计明年开始量产

近日，三星电子宣布，开发了基于12nm工艺的16Gb（也就是2GB）DDR5 DRAM，并通过了AMD的兼容性评估。

这款DRAM利用多层EUV(极紫外)技术开发，拥有三星最高的DDR5 Die密度，速度可达7.2Gbps，比上一代功耗下降了23%，晶圆生产力提升约20%。

三星电子内存部门DRAM开发办公室负责人、技术执行副总裁Lee Joo-young表示：“业界最先进的12nm级DRAM将成为DDR5市场全面扩张的催化剂，凭借着在性能和功耗上的卓越表现，我们希望新的DRAM能够成为下一代计算机、数据中心和AI系统可持续运营的坚实基础。”

AMD首席技术官 (CTO) Joe Macri 表示：“技术创新往往需要业界的紧密协作。AMD很高兴再度和三星合作，特别是引入这款已经在Zen平台上得到优化和验证的DDR5内存产品。”

2nm级DRAM预计从明年开始量产，三星电子计划与全球IT企业合作，引领下一代DRAM市场。将该产品将提供给数据中心、人工智能和下一代计算等各种应用。