“新一代内存”有望冲击10000MHZ频率,5分钟了解DDR5为什么这么强

2021-10-27 18:10:49 3点赞 4收藏 3评论

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“新一代内存”有望冲击10000MHZ频率,5分钟了解DDR5为什么这么强

11月4日,英特尔12代CPU就要来了。目前阿斯加特Asgard已经发布了2款DDR5内存,并在线上开启了预购。今天我们来简单的了解一下DDR5。

“新一代内存”有望冲击10000MHZ频率,5分钟了解DDR5为什么这么强

DDR5相比上代内存的主要差异在于采用全新的内存模组架构,在容量、频率、稳定性、节能上均都有着巨大的提升。

DDR5新架构要点

“新一代内存”有望冲击10000MHZ频率,5分钟了解DDR5为什么这么强

DRAM:DDR5 DRAM与DDR4 DRAM相比,颗粒大小基本一致,芯片针脚设计不同。DDR5 DRAM拥有更高的工作频率,以及更高的存储密度,单die容量更大。

“新一代内存”有望冲击10000MHZ频率,5分钟了解DDR5为什么这么强

通道带宽:DDR5拥有2通道DIMM,拥有8个Groups,每个Groups 4个bank,32个banks,带来更大的带宽。

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突发长度(BL):同一行中相邻的存储单元连续进行数据传输的方式,连续传输所涉及到存储单元(列)的数量就是突发长度(Burst Lengths,简称BL)。早期的DDR、DDR2突发长度为4,DDR3 、DDR4为 8,DDR5 的BL增加到了 16。

“新一代内存”有望冲击10000MHZ频率,5分钟了解DDR5为什么这么强

金手指:DDR5金手指仍为288个针脚,为了适应双通道设计,DDR5的针脚布局和DDR4有所不同。

“新一代内存”有望冲击10000MHZ频率,5分钟了解DDR5为什么这么强

On-DIMM PMIC:DDR5拥有一个PMIC芯片。相对于上代内存,电压调节从主板转移到单个DIMM上,让DIMM负责自己的电压调节需求。这降低了电路板的复杂性,同时也增加了供电的稳定、效能。

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On-Die ECC:DDR5 拥有On die ECC(片上ECC)。主要用来提高先进工艺节点的良率,从而降低 DRAM 芯片成本。On die ECC检测在刷新期间发生在cell或Row的错误。和外置ECC不同,当数据从cell移动到缓存或 CPU 时,如果有位翻转或数据损坏,它不会被On die ECC 纠正。

DDR5参数规格

容量:DDR5容量更大,16G起步,单根可做到128G。

电压:相比DDR4,DDR5 电压 降低到 1.1v,降低了功耗。

频率:3200/4800起步,最高频率可超10000MHZ。

时序:目前市场上的DDR5 时序为CL 40-40-40。

DDR5稳定性

DDR5不仅有On-Die ECC,还加入了多种RAS功能有利于内存在高速运行情况下保持稳定性。

DDR5答疑

1、为什么DDR5时序比DDR4时序大很多?

由于相比DDR4,DDR5的架构改变、通道增加、频率提升、电压降低等,使得DDR5的时序相比DDR4更大。抛开内存本身的差异单独去看时序大小毫无意义。

2、影响DDR5产能的因素是什么?

目前DDR5产能低,价格较高,影响DDR5产能的主要因素是PMIC芯片供应、DDR5 DRAM产能、DDR5成品测试。

3、12代CPU必须搭配DDR5吗?

12代CPU也可搭配DDR4,看主板是否支持。

4、DDR5支持XMP吗?

DDR5支持XMP 3.0。

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3评论

  • 精彩
  • 最新
  • 最高频率可超10000MHZ,以现在的角度来看,哗是很牛B,不过再下一代就会觉得,也不过如此,怎么这么低。这硬件肯定是越来越强的,集显也强过以前的VOODOO卡对吧,平常心对待吧。

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  • 超10G! [皱眉]

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  • 早开始攒钱了

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