1/4砖尺寸设计，军陶150W隔离DC-DC电源模块解析

前言

DC‑DC砖式电源模块广泛应用于工业控制、轨道交通、通信设备以及军工配套等场景，标准化的砖式封装具备功率密度高、集成度高、使用便捷的特点，可大幅简化整机电源系统的设计工作量。

军陶QB36C150N013R20 150W隔离DC‑DC电源模块，采用行业标准1/4砖尺寸设计，具备宽范围输入、隔离输出、完备的保护机制。下面我们来看看产品的具体设计。

军陶150W 1/4砖电源模块外观

军陶QB36C150N013R20电源模块采用1/4 砖工业标准尺寸设计，核心控制器、驱动器、运放等器件布局在正面。

另一面布局功率器件，变压器、电感等包裹绝缘胶带以及打胶保护。

模块输入端插针特写。

变压器上贴有电源模块信息标签，可见产品品牌以及型号等信息。

另一端金属插针特写。

测得军陶1/4砖电源模块长度为58.12mm。

宽度为37.1mm。

厚度为9.75mm。

产品拿在手上的大小直观感受。

另外测得模块重量约为47g。

军陶150W 1/4砖电源模块方案解析

电源模块正面设有主控芯片、驱动器、钳位MOS管、数字隔离器、光耦等器件。

另一面设有主开关管、同步整流管、运放等器件。

MLCC滤波电容特写。

0.47μH滤波电感特写。

电源模块主控芯片来自TI德州仪器，丝印28091，实际型号UCC2809PTR-1，是一款电流模式 PWM 控制器，支持正激、反激、Boost拓扑，开关频率最高可达1MHz，采用VSSOP-8封装。

驱动器来自德州仪器，丝印PS2812，实际型号TPS2812，是双路非反相高速MOS管栅极驱动器，每通道峰值输出电流 2A，支持 14V~40V 宽范围供电拓展，采用TSSOP-8封装。

主开关管来自英飞凌，型号BSC190N15NS3 G，NMOS，耐压150V，导阻19mΩ，采用TDSON-8封装。

钳位MOS管来自威世，型号Si7115DN，PMOS管，耐压150V，导通电阻0.295Ω，采用 PowerPAK 1212-8封装。

丝印W82稳压芯片特写。

电流互感器特写。

单通道运算放大器来自TI，丝印A63A，实际型号LM321MFX，供电电压范围3~32V，增益带宽积1MHz，采用SOT23-5封装。

另一颗运算放大器来自德州仪器，丝印L2904，实际型号LM2904PWR，是双路通用型运算放大器，供电电压范围3~26V，单位增益带宽700kHz，采用TSSOP-8封装。

变压器特写，周边打胶保护。

数字隔离器来自ADI亚德诺，丝印3210BRZ，实际型号ADUM3210BRZ，是基于iCoupler®磁隔离技术的双通道数字隔离器，隔离耐压 2500Vrms，最高数据速率10Mbps，采用SOIC-8封装。

两颗810光耦来自东芝。

两颗栅极驱动芯片来自亚德诺，丝印ABED，实际型号MAX5048BAUT‑T，TTL逻辑输入等级，采用SOT23‑6封装。

MLCC电容打胶防护。

同步整流管来自AOS万国半导体，型号AON6448，NMOS管，耐压80V，导通电阻9.6mΩ，采用DFN5x6封装。

滤波电感特写，磁芯包裹绝缘胶带，同时周边也是打胶处理。

MLCC滤波电容特写。

负载开关管来自安森美，型号FDMC8882，NMOS管，耐压30V，导通电阻14.3mΩ，采用WDFN8封装。

另一颗保护管采用威世Si7115DN。

三端可调精密并联基准源来自德州仪器，丝印YAIG，实际型号为TLV431A，内置1.24V 内部基准，25℃基准精度 ±1%，支持输出电压在 1.24V~6V 之间通过分压电阻自由设定，采用SOT23封装。

另一颗TI LM321MFX运放特写。

服务器电源网总结

最后附上军陶150W 1/4砖电源模块的核心器件清单，方便大家查阅。、

军陶150W 1/4砖电源模块采用成熟的隔离正激功率拓扑，原边以UCC2809 PWM控制器为核心，搭配TPS2812栅极驱动器驱动原边主功率开关管，同时配置Si7115DN PMOS实现有源钳位，抑制变压器尖峰电压，提升可靠性。

次级侧使用两颗MAX5048驱动器驱动三颗AON6448同步整流管，多管并联分摊电流降低导通损耗，提升整机转换效率。Si7115DN 与 FDMC8882 构成次级输出保护开关阵列，可在故障状态快速切断输出，实现本地保护动作。

整机器件选型兼顾性能与可靠性，功率器件、小信号模拟器件、数字隔离器件分工明确，过压、过流等保护机制完整；PCB 布局上功率区域与信号区域分区排布，关键功率器件、变压器、电感均做打胶绝缘加固处理，适配振动、温差较大的工业使用环境。