三星推进HBM4E开发基础裸片计划：采用2nm工艺

上个月，三星宣布量产HBM4。其结合了4nm基础裸片（Base   Die），并搭配1cnm（第六代10nm级别）工艺制造DRAM芯片，从量产初期就实现了稳定的良品率和行业领先性能，无需额外重新设计，确保了三星在早期HBM4市场的领导地位。在经历了HBM3和HBM3E开发和量产瓶颈后，三星终于在HBM4看到了赶上领头羊SK海力士的希望。同时三星并没有放慢速度，已经开始在下一代HBM4E上发力。

据Business Korea报道，4nm基础裸片搭配1cnm DRAM芯片让三星尝到了甜头，使其远远领先于SK海力士用台积电5/12nm基础裸片搭配1bnm DRAM芯片的组合。三星计划在HBM4E采用2nm工艺制造基础裸片，提高能效、散热管理和面积利用率，进一步扩大竞争优势。

目前行业其他主要参与者逐渐把重点放在了定制型HBM4E上，将其视为下一个竞争焦点。台积电打算采用3nm工艺制造下一代基础裸片，而三星主动将基础裸片提升至2nm工艺，以保持领先。随着定制HBM时代的到来，三星在HBM领域的竞争优势似乎变得更加明显。

三星自身拥有代工厂，比起要寻求台积电帮助的SK海力士和美光，预计会从内部生产中获得潜在的成本优势，而且产能分配上也更为灵活。正是由于基础裸片转换到代工厂将对HBM产品带来成本压力，美光推迟到HBM4E才转成台积电，目前在HBM4已经遇到一些困难。

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