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国产28nm光刻机核心突破：光源与物镜技术达国际主流水平

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05-26 13:33

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印度也开始认真搞芯片制造了。最近，印度总理莫迪访问荷兰，并与全球光刻机巨头 ASML 展开合作。印度塔塔集团计划在古吉拉特邦建设印度首座 300mm 晶圆厂，总投资约 110 亿美元，规划月产能达到 5 万片晶圆。这个消息听起来很大，因为 ASML 是全球最重要的光刻机供应商，尤其是最先进的 EUV 光刻机，几乎决定了先进芯片制造的上限。但这里有一个关键点：印度这座芯片厂目前还用不到 EUV。原因很简单，这座工厂主要做的是成熟制程芯片，比如 110nm、90nm、40nm 到 28nm 工艺。这类芯片广泛应用在汽车电子、家电、工业控制、AI周边设备等领域，并不需要最顶级的 EUV 光刻机，使用成熟的 DUV 设备就可以满足生产需求。而且，塔塔集团目前的芯片制造技术也不是完全自研，而是与台湾力积电合作，引入成熟制程生产技术。也就是说，印度现在不是一步跨进最先进芯片制造，而是先从成熟制程开始补课。这其实是一个比较现实的路线。先进制程看起来更高端，但成熟制程同样重要。汽车、家电、通信设备、工业设备里面，大量芯片并不需要 3nm、2nm，而是需要稳定、便宜、产能充足的成熟芯片。印度先做 28nm 及以上工艺，门槛相对低一些，也更容易形成实际产能。不过，印度的目标显然不止于此。这些年印度一直在推动半导体国产化，希望建立自己的芯片制造体系，减少对外部供应链的依赖。长期来看，印度也想冲击更先进的制程，甚至喊出了 2nm 的目标。但必须看清楚一点：建厂是一回事，真正稳定量产又是另一回事。芯片制造不是有钱、有设备、有厂房就能马上成功。它还需要长期的工程经验、供应链配套、材料体系、人才积累、良率控制和客户订单支撑。印度现在迈出了重要一步，但距离真正成为全球先进芯片制造强国，还有很长的路要走。所以，这件事可以这样理解：印度正在进入半导体制造赛道，但目前主要是从成熟制程起步。与 ASML 合作说明印度想把芯片产业做起来，但这并不代表印度马上就能制造最先进芯片。短期内，它更多是在补齐基础制造能力；长期来看，才有可能向更高端制程发起冲击。

美国先突破稀土全自主供应，还是中国先突破EUV光刻机全自主制造？

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1. 印度也开始认真搞芯片制造了。最近，印度总理莫迪访问荷兰，并与全球光刻机巨头 ASML 展开合作。印度塔塔集团计划在古吉拉特邦建设印度首座 300mm 晶圆厂，总投资约 110 亿美元，规划月产能达到 5 万片晶圆。这个消息听起来很大，因为 ASML 是全球最重要的光刻机供应商，尤其是最先进的 EUV 光刻机，几乎决定了先进芯片制造的上限。但这里有一个关键点：印度这座芯片厂目前还用不到 EUV。原因很简单，这座工厂主要做的是成熟制程芯片，比如 110nm、90nm、40nm 到 28nm 工艺。这类芯片广泛应用在汽车电子、家电、工业控制、AI周边设备等领域，并不需要最顶级的 EUV 光刻机，使用成熟的 DUV 设备就可以满足生产需求。而且，塔塔集团目前的芯片制造技术也不是完全自研，而是与台湾力积电合作，引入成熟制程生产技术。也就是说，印度现在不是一步跨进最先进芯片制造，而是先从成熟制程开始补课。这其实是一个比较现实的路线。先进制程看起来更高端，但成熟制程同样重要。汽车、家电、通信设备、工业设备里面，大量芯片并不需要 3nm、2nm，而是需要稳定、便宜、产能充足的成熟芯片。印度先做 28nm 及以上工艺，门槛相对低一些，也更容易形成实际产能。不过，印度的目标显然不止于此。这些年印度一直在推动半导体国产化，希望建立自己的芯片制造体系，减少对外部供应链的依赖。长期来看，印度也想冲击更先进的制程，甚至喊出了 2nm 的目标。但必须看清楚一点：建厂是一回事，真正稳定量产又是另一回事。芯片制造不是有钱、有设备、有厂房就能马上成功。它还需要长期的工程经验、供应链配套、材料体系、人才积累、良率控制和客户订单支撑。印度现在迈出了重要一步，但距离真正成为全球先进芯片制造强国，还有很长的路要走。所以，这件事可以这样理解：印度正在进入半导体制造赛道，但目前主要是从成熟制程起步。与 ASML 合作说明印度想把芯片产业做起来，但这并不代表印度马上就能制造最先进芯片。短期内，它更多是在补齐基础制造能力；长期来看，才有可能向更高端制程发起冲击。

2. 美国先突破稀土全自主供应，还是中国先突破EUV光刻机全自主制造？

3. 真相大白！中芯国际二季度业绩，到底受不受光刻胶断供影响？最近全网都在传"中芯国际光刻胶断供，二季度要暴雷"，很多人吓得连夜清仓。今天我就用最真实的数据，给大家说清楚这件事的来龙去脉。首先明确结论：日本高端光刻胶确实已实质断供，但对中芯国际二季度业绩影响微乎其微。为什么这么说？第一，断供的只是14-28nm的ArF光刻胶，而这部分只占中芯国际总营收的15%左右。公司85%的营收来自90nm以上的成熟制程，G/I线光刻胶早已实现国产替代，供应完全稳定。第二，中芯国际早有准备。截至一季度末，公司ArF光刻胶库存仍能维持到6月底，足够支撑二季度全部生产计划。更关键的是，国产替代正在加速：鼎龙股份300吨ArF产线3月已投产，中芯国际28nm产线使用国产胶的良率已从78%提升至83%，成本还降低了18%。第三，二季度业绩最大的压力其实不是光刻胶，而是折旧高峰。2026年公司总折旧同比增加三成，这才是压制毛利率的核心因素。目前公司产能利用率仍维持在95%以上，在手订单排到2027年，二季度营收环比增长1%-3%是大概率事件。说到底，光刻胶断供是长期挑战，但不是短期危机。它只会倒逼国产替代加速，让中芯国际的护城河越来越深。你觉得国产光刻胶今年能实现28nm全面替代吗？评论区聊聊！

4. 都2026年了，为什么ASML还在研究“上一代”DUV？【硅谷101】

5. 依托庞大的国内市场，国产芯片设备快速崛起，产业链日益完善

6. 午后异动！603324，5分钟垂直涨停！光刻机概念，放量上攻！

7. 光刻机主导的时代，或将迎来落幕华为今日官宣全新韬定律演进体系，这项颠覆性突破，直接打破沿用多年的摩尔定律固有框架。过往评判芯片性能高低，核心都绑定光刻机工艺，制程纳米数值成为硬性门槛，没有高端EUV光刻机，就难以造出顶尖芯片。如今格局彻底改写，依托全新技术逻辑，无需依赖EUV光刻机，仅凭成熟制程工艺，就能打造出性能跻身全球顶尖水准的芯片。这一突破一举冲破光刻机技术封锁的困局，彻底拓宽国内半导体产业的发展边界，不再被外部技术枷锁束缚。这也是今日半导体板块行情强势走高的核心原因，国产芯片行业，正式迈入全新发展阶段。

8. 竟然连瓶子都卡脖子，日本连光刻胶瓶子都不卖，中国迅速自研成功

9. 搭载麒麟芯片和全新鸿蒙操作系统的畅享90系列发布，华为手机终于实现了全面回归！余总这句话有深意。影响华为手机全面回归的，是麒麟芯片。影响麒麟芯片回归，是因为7nm工艺是5G芯片的基本要求。影响7nm工艺芯片全面回归，是7nm产能。影响7nm芯片产能的是先进DUV光刻机数量。现在7nm产能在快速提升，所以……

10. 之前美国不让用芯片之母，现在是中国不用了，国产EDA加速替代

11. 华为韬定律炸穿美国封锁，绕开光刻机，重新定义芯片规则！#ai #芯片 #华为 #半导体 #燃起来了大国重器

12. 国产光刻机什么时候能够达到荷兰asml的水平？

13. 上海微电子中标1.09亿元步进扫描式光刻机政府采购项目！这次中标的是SSC800/10，是基于ArF浸没式技术（与SSA800/10i为同一系列型号），单次曝光可支持28纳米制程节点，结合多重曝光技术可延伸至7纳米及以上制程。其核心精度达到国际主流水平，如投影物镜镜头组畸变率控制在2纳米以内，工件台定位精度达0.3纳米分辨率，国产化率超过70%，关键部件如光源系统、光学镜头和双工件台已实现自主可控。

14. #一条音频告别2025##微博声浪计划# 北大孙仲教授团队研制的新型芯片采用阻变存储器技术，在28纳米工艺实现高精度模拟计算，无需EUV光刻机。该芯片可应用于6G通信、AI大模型训练等场景，为中国新型芯片绕开光刻机限制提供新路径。科技小泷的微博音频

15. 【上海微电子中标1.1亿元光刻机项目】据中国政府采购网公示，上海微电子装备（集团）股份有限公司中标zycgr22011903采购步进扫描式光刻机项目，设备数量为一台，成交金额1.1亿元。公告显示，中标供应商名称为上海微电子装备（集团）股份有限公司，供应商地址为上海市张江高科技园区张东路1525号。中标货物名称为步进扫描式光刻机，货物型号为SSC800/10。张江高科直线拉升，截至发稿，涨超7.8%，最新股价报43.7元/股。

16. 国产光刻机大消息？海外“极限施压”！

17. 日本光刻机巨头，崩了！

18. 国产光刻机 SSA800 批量交付良率超 90%的说法有何误导性，当前真实水平如何？

19. 天使轮战略融资落地，华鑫芯光加速激光芯片国产化

20. #中国EUV光刻自主研发获重大进展# 深圳团队已于年初搞出原型机。之前的消息是2025Q4试生产、2026量产，但没有想象的简单，测试时才发现很多地方还需努力，最新量产时间预计在2028—2030年！这与我获得的高端光刻胶等一系列原料的量产时间基本一致！

21. 鼎龙股份的两款高端晶圆光刻胶通过国内主流晶圆厂验证并获得订单，今后可年产KrF/ArF高端光刻胶330吨！公司潜江一期30吨KrF/ArF高端晶圆光刻胶产线具备批量化生产及供货能力；二期年产300吨KrF/ArF高端晶圆光刻胶量产线建设收尾、设备调试顺利。据报道，该公司ArF高端光刻胶可用于7颗米制程晶圆，EUV光刻胶已获得上面重大专项立项！同样突破ArF光刻胶技术的南大光电，也承接了国家“02-专项”，年产量达50吨左右，也是突破了7颗米节点认证。根据去年SEMI (国际半导体产业协会) 官方报告数据显示，国内ArF光刻胶需求约为80吨左右，全世界需求约300吨左右。鼎龙股份股份二期投产后，可满足全球14颗米以上制程晶圆制造对光刻胶的需求！然而，我们现在缺的是5颗米以下的高端光刻胶，加上近期日本“卡脖子”，这就是为啥近期国产旗舰手机SOC中7颗米的能敞开卖，而5颗米的非常缺的一个原因之一！

22. 有没有法绕过光刻机，弯道超车？

23. 台媒，半导体设备:EUV的研发很快会有突破，但是商用3-5年！我感觉他们低估了大陆进步。最近中国存储芯片建设工厂，高歌猛进，设备被限制问题通过国产化后，已经好很多。日本媒体说，没想到中国芯片国产化进度这么快。前HR本人的微博视频

24. 根据探到消息，咱家今后量产的机器并未使用清华大学研发SSMB技术，而是死磕阿斯麦采用嗯的LPP技术。 SSMB采用粒子加速器产生近光速电子束技术，通过周期性磁场使其“转向减速”辐射出高功率、窄带宽的极紫外光。 LPP则是利用高功率的二氧化碳激光脉冲，连续、精确地轰击（每秒数万次）微小的液态锡滴，将其激发成高温等离子体，从而发出波长为13.5纳米的极紫外光。为什么选择LPP，而不是SSMB？因为SSMB光源系统非常庞大，长达百米。无法解决小型化问题，就无法将设备产业化，自家用还行。但咱家的战略就是要将设备产业化、白菜价，进而提升对咱的依赖程度和话语权！

25. #华为半导体领域新突破#华为稻定律，让芯片性能突破了一大截。目前，我们在没有EUV光刻机的情况下，通过先进封装技术、韬定律新架构、新材料、以及N+3技术，把芯片性能已经提高到3NM。国际主流就是3NM，不过明年他们会上2NM，我们的只能说够用，差距比过去要小多了。根据媒体报道，华为到2031年左右，能把芯片性能干到1.4纳米，跟国际主流基本持平。无论到时候能走到哪一步，现在的性能跟国际最尖端差距这么小，已经为国产EUV光刻机的研发面世赢得了时间。只要我们能跟住，就有超车的可能。综合现在的信息，EUV光刻机最早也要在2028年面世，很可能要到2029年作为建国大庆的成果面世，到那时候，我们有这些年在封锁下突破的先进技术，还有EUV光刻机，不超越都难。2029，将是极其疯狂的一年，很多好东西都要献礼，想想都很爽。

26. 今天下午的大新闻是：国产光刻机中标，上海微电子（SMEE）的SSC800/10型步进扫描式光刻机斩获订单，单价1.1亿元。🔻这次中标的光刻机核心参数没有披露。不过有研究分析说，SSC800型光刻机可以通过多重曝光生产28纳米芯片。🔻ASML的同类型光刻机虽然说已经非常成熟了，但是售价很高。国产光刻机单价1亿人民币，ASML的同类型单价1亿美元。🔻SSC800是干式DUV，还不是浸没式的。如果SMEE能生产浸没式的，那么就能用国产光刻机做到7nm的芯片了。期待这一天快点到来。

27. #中国新型芯片绕开光刻机限制# 北京大学孙仲教授团队成功研制基于阻变存储器的高精度、可扩展模拟矩阵计算芯片，精度达24位定点，提升5个数量级。该芯片可支撑6G、具身智能及AI大模型训练等场景，能在28纳米及以上成熟工艺量产，绕开光刻机限制。不得不佩服中国人的智慧，一旦绕开光刻机，那之前想通过芯片卡脖子的老美算是彻底失算了。

28. 国产高端光刻机什么时候才能造出来？！?

29. 国海证券:光刻机国产供应链有望优先受益建议关注核心部件及加工设备标的

30. 2026年光刻机行业分析:国产90纳米量产线拉动下游设备需求320亿元

31. 193nm光刻投影物镜的研究

32. 通用技术 vs 针对性的个性化专用技术

33. 国产28nm光刻机SSA800批量交付良率超90%?媒体辟谣:假消息

34. 国产光刻机新凯来核心公司(我的投资干货)

35. 揭秘光刻机核心零件:半导体产业奥秘

36. 中国 28 纳米光刻机成功交付啦！

37. 国产光刻机，这六家公司势头正猛！

38. 2020年中国光刻机行业发展现状分析,国产企业如何开启破局之路?「图」

39. 一天三炸：EUV原型机、28nm量产、上海微电子首秀——中国光刻机的转折日

40. 突破封锁！2026光刻机国产替代迎来拐点，28nm DUV量产进入倒计时

41. 一天吃透产业链：光刻机（国产替代）

42. 国产光刻机硬突破：对标ASML 1980Di的设备进入工艺验证，到底意味着什么？

43. 国产光刻机十家核心企业深度点评

44. 光刻机：2026国产替代大年，全赛道核心标的深度解析

45. 光刻机：半导体卡脖子环节的国产突围之路

46. 国产28nm光刻机SSA800批量交付良率超90%?媒体辟谣:假消息!

47. 国产28nm光刻机SSA800批量交付良率超90%?媒体辟谣:假消息

48. 光刻机详细解读（三）| 国产光刻机真的站起来了！

49. 国内光刻机行业深度研究投资报告（2026）

50. 上海微电子(SMEE)深度研究投资报告：国产光刻机龙头，28nm DUV量产开启黄金十年

51. 国产28nm光刻机量产交付：中国芯片破局的关键一步

52. 光刻机产业链核心公司基本面更新

53. 光刻机，有最新进展的5家企业

54. 光刻机光学链突围：从“0到1”的生死攻坚与国产替代

55. 金额1.1亿元一台光刻机成功中标:分辨率低于110nm

56. 国产光刻机的进展现状与核心零部件供应商

57. 光刻机国产替代爆发，这些标的将迎来主升浪！

58. 光刻机国产替代爆发，这些标的将迎来主升浪。光刻机国产替代爆发，这些标的将迎来主升浪！国产光刻机的突破已从“故事”变为“业绩”，未来三年将是黄金布局期。根据国金证券研究，国产光刻机产业在今年实现了重磅的“0—1”突破，先进封装机台正式量产、干法DUV近期将进入量产测试阶段、国产EUV也已进入原理机搭建阶段。这意味着光刻机国产化已经进入爆发元年。一、光刻机国产化进程加速，产业迎来“0-1”突破近期工博会上，上海微电子首次公开亮相了极紫外（EUV）光刻机参数图，芯上微装也斩获展会最高荣誉。这标志着国产光刻机技术突破已从研发走向产业化。华鑫证券研报指出，在国家政策支持下，国内企业加速研发突破光刻机制造技术，目前国产光刻机在90nm及以下工艺节点方面取得了重要进展。上海微电子自主研发的600系列光刻机已实现90nm工艺的量产，并正在进行28nm浸没式光刻机的研发工作。光刻机技术的突破将带动上游材料、精密机械等配套产业升级，加速光刻胶、光学部件等“卡脖子”材料的国产化进程，形成“龙头带动、多点突破”的产业升级格局。二、产业链核心环节及投资标的分析 1. 光刻机整机：上海微电子及相关上市公司上海微电子作为国内光刻机整机龙头，其参股公司上海张江浩成创业投资有限公司投资了上海微电子公司22345万元，持有上海微电子公司10.779%的股权。张江高科（600895）作为上海微电子的重要股东，将直接受益于光刻机的国产化进程，近期股价已创历史新高。 2. 核心部件与材料：国产替代的关键环节新莱应材（300260）：国内唯一光刻机高纯管路系统供应商，产品覆盖气体传输、污染控制等关键环节，客户包括上海微电子、ASML等。2024年光刻机业务营收占比提升至35%，订单已锁定至2026年，业绩确定性高。茂莱光学（688502）：为上海微电子提供匀光模块，并切入ASML供应链。光刻机业务营收占比12%（2024年），2025年或突破2亿元。其精密光学器件已应用于国产光刻机中，掌握了“光刻机曝光物镜超精密光学元件加工”核心技术。华卓精科：在光刻机双工件台方面取得突破，主营业务为光刻机双工件台、超精密测控装备整机以及关键部件等。波长光电：光刻机相关业务主要包括反射镜、聚焦镜、场镜等光学元器件以及平行光源和一些小型光学系统。 3. 光刻胶：芯片制造的“血液” 南大光电（300346）：国内唯一量产ArF光刻胶的企业，产品已导入中芯国际28nm产线。宁波基地新增产能2025年投产，将进一步提升市场占有率。容大感光（300576）：KrF光刻胶通过长江存储验证，2024年营收同比增长45%，国产替代进程加速。 4. 激光光源与光学元件科益虹源：已实现准分子激光光源的出货，是光刻机核心光源供应商。炬光科技：光刻机用匀化器取得规模可观的营收，是光刻机光学系统的重要供应商。福晶科技（002222）：2025年第二季度毛利率高达52%，净利率30.42%，营收同比增长20.69%。公司在激光晶体等领域技术领先，产品可用于光刻机光源系统。三、政策强力支持，打造自主可控产业链政策面对光刻机及半导体产业的支持力度空前。工信部等五部门发布《国家支持发展的重大技术装备和产品目录（2025年版）》，自2025年3月1日起执行。广州开发区、黄埔区也发布了支持集成电路产业高质量发展的政策措施，对使用多项目晶圆（MPW）流片进行研发的设计企业，按照不高于流片费用40%分档给予补助。这些政策为光刻机及半导体设备企业提供了资金、税收、技术等多方面的有力支持。四、投资策略 1. 短期爆发力最强标的新莱应材（300260）技术壁垒高+订单锁定+资金共振，是短期爆发力最强的标的。当前若站稳35元支撑且换手率保持15%以上，可轻仓参与，目标42元，止损33元。 2. 长线配置首选南大光电（300346）作为光刻胶国产化领军者，具有极高的技术壁垒。建议回调至35元（筹码密集区）布局，止损34元，目标40元。 3. 突破追涨品种茂莱光学突破280元前高可追涨，机构目标价超300元。容大感光若KrF光刻胶放量超预期则具备弹性。 4. 趋势龙头张江高科作为光刻机概念龙头，近期持续走强，适合风险偏好较高的投资者趋势跟踪。五、总结光刻机国产化是中国半导体产业自主可控的必经之路，市场空间巨大。当前正处于“0-1”突破的关键时点，产业爆发元年已经到来。应重点关注技术壁垒高、订单可见性强、与国产光刻机龙头绑定深的核心标的，把握这一历史性的投资机遇。在光刻机这个高壁垒、高价值的赛道中，拥有核心技术和强大研发能力的企业将成为最终的赢家。在产业变革的浪潮中，找准核心环节，抱住龙头公司，才能在投资的路上行稳致远。光刻机国产化的趋势已经确立，抓住这波行情，或许就是你投资生涯中的重要机会！免责声明：以上内容仅为投资分析参考，不构成任何投资建议。股市有风险，入市需谨慎。

59. 国产光刻机突破28nm：一场耗资千亿、历时十年的逆袭之战，谁在改写全球芯片格局？

60. 国产光刻机产业链深度：从28nm突破到千亿市值路径

61. 从DUV到EUV，中国光刻机离顶尖水平还有多远？

62. 历史性突破！国产28nm光刻机交付中芯国际，良率超90%，2026年出货将达50台

63. 国运之战！国产光刻机核心零部件10大隐形冠军，每一家都不可替代

64. 国产光刻机SSA800批量交付，良率超90%？别被忽悠了

65. 2026年光刻机设备国产化进展：突破与攻坚并行！

66. SSA浸没式光刻机参数

67. 半导体产业的三重变局：28nm光刻机全面量产、AI芯片竞争与产能扩张

68. 报告 | 2026 年中国光刻机行业概览：国产自主攻坚进入关键赛程（附下载）

69. 光刻机，有最新进展的6公司！

70. 光刻机+光刻胶，国产半导体核心环节10家领军企业，最新进展深度解析

71. 2026光刻机攻坚进行时！中国光刻国产替代全面提速

72. 193nm准分子激光解读

73. 国产光刻机量产现状与技术突破 ■国产光刻机量产现状■ 1. 【28nm成熟制程实现量产】✔国产28nm浸没式DUV光刻机已在头部晶圆厂完成验证✅其良率稳定在90%以上可满足汽车芯片与工业控制等主流需求该制程设备已具备稳定量产能力 2. 【90nm设备规模化应用】✔国产90nm DUV光刻机市场占有率持续提升在消费电子等成熟制程领域实现规模化应用有效支撑国内芯片生产需求 3. 【进口替代效应显现】⚠受出口管制影响进口光刻机数量显著下降国产设备在成熟制程领域逐步实现进口替代2026年进口量降幅将达50% ■技术突破与瓶颈■ 1. 【核心部件突破】▫ 193nm激光光源实现国产化量产其性能指标完全达到应用要求纳米级双工件台精度提升至国际先进水平的90% 28nm ArF光刻胶通过批量验证满足量产需求 2. 【效率革新】▫ 新型光刻技术使加工效率提升上万倍大幅缩短生产周期国产设备交付周期缩短至6个月显著优于进口设备 3. 【现存短板】❗ EUV光刻机仍处于预研阶段关键光学元件技术尚未突破 7nm及以下先进制程仍依赖进口设备国产化进程有待推进 ■产业链配套进展■ 1. 【零部件国产化率提升】▫ 28nm光刻机国产化率已达85%-90% 光学镜头与电子特气等配套产业取得技术突破 2. 【政策资金支持】▫ 国家大基金重点投向光刻领域支持研发创新地方政府提供研发补贴和首台套奖励降低企业成本 3. 【市场需求支撑】▫ 国内新建12英寸产线规划带动设备需求增长 28nm光刻机市场需求预计超过200台

74. 中国光刻机现在到底卡在哪个环节？用工程角度讲清楚

75. 光刻机10万零件谁造的？中国厂商要从一个个零部件，自己突围封锁链

76. 中科院双团队联手攻克193nm深紫外激光难题

77. 光刻机突围战：中国半导体产业链的“隐形军团”浮出水面

78. 光刻机+光刻胶，有最新进展的10家公司

79. 光刻机+光刻胶，重大进展的10家公司

80. 光刻机+光刻胶，最具潜力的10家公司！

81. 国产EUV光刻机核心技术突破与量产时间表当前国产化进展阶段 1. 原型机验证阶段：首台EUV光刻机原型机预计2025年底完成组装，采用LDP技术路线。光源功率达到300W，与国际同代产品相当，已进入芯片试生产流程。 2. 量产时间表：计划2028年实现小规模试产，适配14nm/7nm工艺。2030年完成量产优化，目标覆盖5nm及以下先进制程。 3. 替代技术布局：同步推进纳米压印和二维半导体等替代路线，预计2030年可实现3nm/1nm芯片制造能力。核心技术难点解析 1. 光源系统：需稳定产生13.5nm极紫外光。传统LPP路线受专利限制，国产采用固体激光驱动方案，功率提升至300W，但商用级稳定性仍需突破。能量转换效率3.42%，超过国际水平，但距商用需求的5%仍有差距。 2. 光学系统：反射镜需镀40层钼硅薄膜，表面粗糙度要求≤0.1nm。国产目前达到0.3nm水平。 3. 光刻胶材料：需平衡灵敏度、分辨率与边缘粗糙度。EUV光子吸收效率为传统光刻胶1/14，国产尚未实现量产突破。 4. 整机集成： 10万+零部件协同误差控制在1nm内，真空环境要求达太空真空的1/1000。关键技术突破清单 1. 光源创新：固体激光驱动方案体积缩小90%，电光转换效率20%，运行成本降低30%。 2. 光学部件：反射镜粗糙度达0.3nm，28nm DUV物镜国产化率超70%。 3. 工艺优化： 7nm芯片良率突破70%，采用国产28nm DUV设备多重曝光实现。 4. 能耗控制：整机功耗降低40%，每小时处理250片晶圆，产能比国际同级产品高28%。 5. 产业链协同：核心零部件国产率超90%，形成完整产业链。

82. 多位中国芯片领军人联合发文：国产28nm光刻机进入测试阶段，大力夯实国产芯片的自主可控

83. 研究论文 | 386 nm近紫外GaN基半导体激光器和深紫外非线性光学晶体直接倍频实现193 nm激光输出

84. 光刻机国产替代：从验证到量产的拐点之年

85. 光刻机全链条突围：核心受益个股简明清单

86. 28nm DUV良率破95%，光刻核心部件仍待突破？

87. 从照明均匀性优化到光谱纯度提升，一场围绕193nm深紫外光刻的协同创新实践

88. 友思特方案 | 反射物镜：突破光学极限的核心解决方案

89. 华卓精科的双工件台位控精度达到1.7nm/1.5nm级别对中国高端机床彻底摆脱“卡脖子”的意义

90. 第82期 | 了解概念：光刻机部件

91. 一天吃透一条产业链：光刻机

92. 光刻技术第9期 | 二维与三维矢量成像模型对比-含相差物镜的应用

93. 别再神化光刻机！国产28nm产线满负荷运转，才是真正底气

94. 超越主光路：滤光片在光刻机对准与检测系统中的关键作用

95. EUV光刻机的13.5nm光源是如何实现的，中国光刻机的追赶现状

96. 中国光刻机重大突破！国产芯片将迎来全新纪元？

97. 上海高功率高通量量子物镜 - 哔哩哔哩

98. 突破深紫外极限：光研科技193nm DUV光学元件检测方案！为精密光学系统保驾护航

99. 中国光刻机技术发展与市场现状 ■技术发展水平 1. 【成熟制程突破】国产28nm浸没式DUV光刻机量产良率达90%✅，可支持7nm制程；350nm设备完成验收✔，中低端市场国产化率超80%❗ 2. 【高端技术攻坚】EUV光源功率冲至300W，与国际持平；14nm设备实现量产，7nm以下制程预计2027年前突破 3. 【核心部件进展】193nm激光器、纳米级双工件台等关键部件国产化率超60%，28nm光刻胶达标，EUV镜头精度提至0.15nm▫ ■市场现状 1. 【国产替代加速】2026年成熟制程渗透率将达40%，28nm以上国产覆盖率升至35%，进口份额显著下滑⚠ 2. 【需求驱动】国内新增12英寸晶圆产线30条，28nm设备需求超200台；大基金三期投入930亿元 3. 【全球竞争】高端EUV市场仍由国际厂商主导，中国以成熟制程差异化竞争，2026年全球392亿美元市场中占比22%✔

100. 国产28nm光刻机SSA800批量交付良率超90%？媒体辟谣：假消息！