笔电系列 篇二十二:十四代酷睿笔电现身,有哪些亮点?
正当大家还在为了选购十三代酷睿还是zen4纠结的时候,搭载十四代酷睿的笔电已经悄然而至,出现在了台北电脑展上。
从图片中可以看到,该笔电搭载的处理器隶属meteor lake-p系列,b0步进,采用intel4工艺。
核心规格为6大核,8小核,2低功耗小核,共计16核心22线程。
每个大核心二级缓存2mb,与十三代桌面端相同。
每个小核簇二级缓存2mb,与十二代桌面端相同。
基准频率3.1ghz, 加速频率4.2ghz,tdp28w。
但是r23跑分只有4261分,可以说是非常低了,cpu占用率只有百分之21,可能是哪里没有设置好。
下面给大家列举一下相比十三代酷睿移动端的变化。
一.采用7nm工艺,能耗比显著提升
intel的11,12,13代酷睿移动端采用duv光刻机的10nm工艺制造,每一代均比上一代有所优化。
为了在命名上能够与台积电对标,改名成了intel7。
而14代酷睿则用上了euv光刻机,采用7nm工艺,为了跟台积电对标,intel将其命名为intel4。
intel的制程工艺是按照晶体管密度来命名的
intel7nm工艺的含义是:每个晶体管占用面积为70*70=4900平方纳米。
而台积电的制程工艺则是按照沟道宽度来命名的,
台积电5nm工艺的含义是:晶体管沟道宽度为5nm。
所以,intel和台积电的制程命名完全是按照的不同标准,两者并没有可比性。
intel将7nm工艺命名为intel4,是为了向消费者表达该制程工艺的表现与台积电4nm相近。
二.新增dlvr技术,分模块调节电压
不同于amd的分模块加压。在十四代酷睿之前,intel处理器的每个核心和缓存,电压都保持一致。
当一个核心需要高电压时,会连带着其它核心,以及缓存的功耗一起变高。
在十三代酷睿的es版本上,intel对dlvr技术进行了一些尝试,结果以失败告终。
成功采用该技术的十四代酷睿,将在日常使用的能耗比上有所提升。
三.核显架构更新,规模增加。
十二,十三代酷睿移动端h/p系列的核显架构为generation12.2,规格为96eu。
而十四代酷睿的核显架构升级到了generation12.7,规模升级到了128eu。
内存带宽一直是核显很严重的瓶颈。
因此在内存带宽有极为显著的提升之前,笔者并不对核显的性能有多大信心。
四.soc上新增两个小核。
14代酷睿u系列示意图,有两个小核心位于socoll die上
这个改动有可能会显著改善待机功耗,具体效果还是需要等待上市之后实测。
新增的两个小核,架构与cpu运算单元内的小核相同,因此在兼容性问题上可以不用担心。
但是调度问题还是很让人担忧。
五.集成VPU,NPU模块,增加系统缓存
这些我们在手机,平板电脑上已经见过了,在至于具体功效怎么样,还是有待上市之后实测。
六.采用多die封装,降低成本
像amd的桌面端处理器,从zen2开始便采用多die封装,可以有效提高良品率,降低成本。
缺点是会导致功耗变高,待机功耗居高不下是amd桌面端一直没有解决的问题。
而采用了台积电4nm工艺的7840hs,7940hs,由于也采用了多die封装,待机功耗也比上一代有所增加,同时导致续航变差。
从meteor lake开始,intel也将采用多die封装
至于intel的多die封装会导致功耗增加多少,续航如何,还有待上市之后实测。
总结:
相比十二,十三代酷睿,十四代酷睿的大核心架构没有变化,睿频也比较低。
在极限性能上,很可能不会有显著的提升。
其着重点在于优化能耗比,降低待机功耗,改善日常使用的体验,降低对散热的要求。
像十三代酷睿13900hx,需要200w功耗才能发挥出百分之90的性能,这是绝大部分笔电无法满足的需求,即使是散热最强的gt77hx和外星人m18r1,也是非常勉强。
gt77hx的重量达到了3.47kg
m18r1更是重达4.23kg。
而在显卡满载时(例如游戏场景),cpu受到的限制将更加严重,无法跑满全核睿频。
十四代酷睿则有希望改善这些问题。
当然,买了十三代酷睿的值友也不必懊恼,采用了新工艺的十四代酷睿移动端,在价格上想必相当昂贵,那些有性价比的十三代酷睿机型还是可以放心购买。
例如宏碁的掠夺者擎,在pdd降价到了6000价位,散热也是极其优秀。
可惜目前的bios不支持cpu降压,液金也有一定的风险。
作者声明本文无利益相关,欢迎值友理性交流,和谐讨论~
值友3093850289
十五代提升会很大。
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