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明年生产128层闪存:长江存储加快提升步伐

2019-05-15 14:27:28 32点赞 11收藏 44评论

本文经超能网转载,原标题《长江存储加快追赶对手:年底产能提升,明年生产128层闪存》,作者:唐裕之,未经允许请勿转载。

但是如美光等厂商的技术还是处于技术领先的地位,美光、海力士等已经发布96层3D NAND,如海力士已经向SSD控制器开发商和NAND闪存设备公司发送样品,以确保相关产品顺利生产。而国内厂商还在加快步伐追赶中,近日TrendForce报道称,长江存储将在今年年底前大规模生产64层Xtacking 3D NAND存储芯片,到2020年会直接提供128层3D NAND产品,以缩小与其他厂商的差距。

TrendForce报道称,在一季度长江存储就已经向部分客户和控制器厂商提供了样品,而且长江存储武汉工厂已完成建设,不过仅为32层闪存产品提供有限的产量,而在生产64层闪存芯片时会提高产量并扩大产能。在2020年时,计划将晶圆产量提高到60K/m。不过相对于竞争对手的200K/m还有差距,但这还是会给闪存芯片市场带来一定的冲击。

明年生产128层闪存:长江存储加快提升步伐

同时在2020年,长江存储还计划跳过72层/96层技术,直接生产128层的3D NAND闪存,以此追上美光、英特尔、海力士等竞争对手,而这些厂商计划在2020年推出128层闪存芯片。

长江存储在技术上也在追赶。去年长江存储推出了Xtacking 3D NAND堆栈结构,这种结构相对于传统闪存有极高的I/O速度,更高的密度以及衍生品开发更容易的优势。

此前长江存储CTO程卫华在接受采访时就表示了大规模量产计划,而且他也表示计划进展顺利,没有任何障碍。如果长江存储计划真的顺利执行,那将会对接下来的闪存芯片市场带来一定冲击。

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