容量翻番、性能提升50%：Micron 美光 发布 UFS 2.1 手机闪存

随着AI人工智能、面部识别以及大数据储存技术兴起，智能手机对高速、大容量储存需求越来越多，市场迫切需要更先进的储存技术来满足用户。在MWC 2018展会期间，Micron（美光）发布了新一代UFS 2.1手机闪存，采用自家第二代64层3D NAND TLC技术，符合闪存UFS 2.1标准，提供256GB，128GB和64GB容量，性能翻番、延迟更低，能耗表现优秀并拥有不错的耐久度，能够更快速，更高效地访问数据，满足旗舰智能手机等移动设备需要。据悉，新的美光UFS 2.1闪存将于今年下半年开始供货，预计秋季会在各家旗舰机中看到。

据了解，第二代3D TLC颗粒优化架构，容量翻倍，性能相比第一代提升了50%，延迟也进一步降低，还拥有高效峰值功率管理系统，可智能控制将功耗降至最低。容量翻番的同时，得益于64层堆堆栈技术，单32GB颗粒Die面积仅为59.341mm2，是目前业内最小体积。另外，镁光3D NAND TLC符合UFS 2.1 G3-2L规范，相比e.MMC 5.1带宽提升200％，并支持高速同步读写功能，能轻松对付4K或者超高分辨率照片的连续读写储存。