96层堆栈、读速提升30%：SK Hynix 海力士 发布 4D NAND闪存颗粒

2018全球闪存技术峰会（Flash Memory Summit 2018）正在热火热荼的进行中，各家纷纷亮剑拿出杀手锏来吸引眼球，SK Hynix（海力士）方面则宣布了3D NAND技术后的替代者4D闪存技术，宣称芯片面积更小、容量更大、性能更强、成本更低。据悉，海力士4D闪存将于今年四季度开始出样，初步定于2019年上半年出货。

据了解，SK海力士第一款4D闪存是V5 512Gb TLC、单芯13mm²，比3D减小20%体积、采用96层堆叠技术，BGA封装可以做到1Tb（128GB），模组最大2TB，能轻松在2.5寸的U.2中做到64TB超大容量。性能方面，I/O接口速率1.2Gbps（ONFi 4.1标准），读速提升30%、写速提升25%。除了TLC方案，V5 4D闪存也将会推出QLC类型颗粒，同样采用96层堆叠，单Die最小1Tb，具体细节暂未透露，最快要等到明年下半年才会出样。

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