英特尔发布全球最薄硅基氮化镓射频芯片，瞄准6G商用
06-06 10:23
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1. 【#全球首款量产智能终端用硅基氮化镓射频芯片#，交付超五百万颗】中国电科55所自主研发的全球首款量产智能终端用硅基氮化镓射频芯片产品，近日已交付超五百万颗。这是全球率先实现硅基氮化镓射频芯片在智能终端规模化商用，将为空天地一体化信息网络的全域覆盖、高速互联提供硬核支撑。（来源：科技日报 李忠明 何沛苁 付毅飞） 科技日报的微博视频
新浪微博 2026-06-05 00:00:00
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4. 小米公布射频器件研发成果：低压硅基GaN PA首次实现移动端验证
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5. 英特尔造出全球最薄氮化镓芯片：19微米，头发丝的五分之一，可承受78V电压
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6. 郝跃院士：氮化镓芯片已大规模应用
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7. 英特尔19微米GaN芯粒问世震动业界，中国氮化镓军团加速突围
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8. 【方正军工/新兴产业】国博电子：国内T/R组件龙头，氮化镓功放芯片及低轨卫星终端直连产品打开新空间
微信公众号 2026-04-11 00:00:00
9. 英特尔推出全球最薄氮化镓芯片 硅衬底厚度减至19微米
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10. 打破国外技术垄断？小米GaN射频登IEDM，手机通信要换“芯”了
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11. 国博电子：硅基GaN领航者，卫星与军工驱动的射频龙头突围
微信公众号 2026-01-11 00:00:00
12. 全球最薄氮化镓芯片 英特尔于 2026年4月9日 发布了一款厚度仅19微米的氮化镓芯片，被称为芯粒chiplet，而非传统意义上的完整封装芯片。这不仅是全球最薄的氮化镓器件，更在集成度和性能上实现了一系列突破。采用英特尔自有的 隐形切割与研磨前隐形切割SDBG工艺，先使用精确激光在晶圆内部产生微小裂纹，再通过机械研磨减薄至目标厚度。氮化镓晶体管可承受高达78伏的电压。射频截止频率超过300吉赫兹，完全满足5G、6G等下一代无线通信的需求。 应用于涵盖数据中心、下一代通信、汽车电子，航空航天与雷达等场景。#芯片 #半导体 #科技 #人工智能 #英特尔 竟业电子IC芯片供应商www.jingyeic.com
今日头条 2026-04-14 00:00:00
13. 西电团队攻克芯片散热世界难题：氮化镓射频芯片性能提升30%到40%
今日头条 2026-01-18 00:00:00
14. 中国西电团队攻克芯片散热世界难题 氮化镓射频芯片性能提升30%到40% 在芯片面积不变的情况下，装备探测距离可以显著增加; 据媒体报道，西安电子科技大学实现了历史性跨越，使#氮化镓 #射频芯片 性能提升30%到40% 他们通过将材料间岛状连接转化为原子级平整的薄膜，使芯片的散热效率与综合性能获得了飞跃性提升。 工艺的突破直接转化为器件性能的惊人提升，基于这项创新的氮化铝薄膜技术，研究团队制备出的氮化镓微波功率器件，在X波段和Ka波段分别实现了42W/mm和20W/mm的输出功率密度。 这一数据将国际同类器件的性能纪录提升了30%到40%，在芯片面积不变的情况下，装备探测距离可以显著增加。#半导体 #芯片 #科技 竟业电子IC芯片供应商 www.jingyeic.com
今日头条 2026-01-20 00:00:00
15. 华为手机核心供应商国博电子：全球唯一量产硅基GaN功放，卫星互联网+商业航天+军工！
微信公众号 2026-01-03 00:00:00
16. 前期补充：氮化镓（GaN）产业链核心企业一览表（完整版）
微信公众号 2026-05-23 00:00:00
17. 恩智浦关闭GaN工厂；小米氮化镓手机射频PA获IEDM收录；昂瑞微科创板上市；UMC获imec硅光工艺授权
微信公众号 2025-12-19 00:00:00
18. 英特尔突破氮化镓技术瓶颈，全球最薄芯片重构半导体产业格局
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19. 英特尔首次公开 300mm 硅基氮化镓 Chiplet 技术
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20. 科研成果展示 | 面向5G通信应用的硅衬底氮化镓微波射频材料
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21. 干货分享：GaN-on-Si（硅基氮化镓）的特性、制备、结构与应用
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22. 【产业信息速递】全球最薄氮化镓芯片，英特尔造
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23. 成果推介39｜低成本高性价比氮化镓射频芯片和电力电子器件
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24. 全球最薄氮化镓芯片，英特尔造
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25. 全球最薄！英特尔发布19微米超薄GaN芯片
微信公众号 2026-04-10 00:00:00
26. 英特尔成功生产全球最薄氮化镓芯片，厚度仅19μm
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27. 英特尔重大突破：全球最薄氮化镓芯片问世
微信公众号 2026-04-14 00:00:00
28. 英特尔重大突破：全球最薄GaN芯片问世！ 4月9日，英特尔晶圆代工服务传来喜讯，成功开发出全球最薄的氮化镓（GaN）芯片，其硅衬底厚度仅19微米，约为人类头发直径的五分之一，堪称芯片领域的“瘦身奇迹”。 该芯片运用英特尔专有的隐形切割和减薄工艺，在300毫米氮化镓硅基晶圆上制造。此工艺在保证芯片结构完整和性能稳定的前提下，实现了超薄外形。 不仅如此，团队首次实现氮化镓功率晶体管与硅基数字逻辑电路单片集成，将复杂计算功能嵌入功率芯片，无需额外辅助芯片，大幅简化系统架构，降低能量损耗。 性能测试成绩亮眼，GaN晶体管能承受78V电压，射频截止频率超300GHz，满足高频通信需求；集成数字逻辑库运行可靠，反相器开关速度达33皮秒，且晶圆上性能一致，量产潜力巨大。此外，该技术通过四项行业标准可靠性测试，具备商业部署条件。英特尔此举，有望降低生产成本，加速氮化镓芯片大规模应用。#英特尔 #芯片封装 #半导体设备 #真空回流炉
抖音 2026-04-14 00:00:00
29. 英特尔带来全球最薄氮化镓芯片 硅衬底厚度减至19微米
什么值得买 2026-04-15 00:00:00
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32. 全球最薄的氮化镓芯片官宣，仅19微米！
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33. Intel重大突破! 造出全球最薄GaN芯片：仅头发丝的1/5
知乎 2026-04-09 00:00:00
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