光刻机风起云涌：ASML研发难，中俄在创新，日本不服输

作为芯片制造中，最重要的核心设备，光刻机一直倍受大家关注。

原因就是整个光刻机市场，是ASML一家说了算，特别是EUV，全球只有ASML一家能够制造，所以全球所有的芯片制造厂商，都得找ASML。

也正因为这样，美国控制了ASML，就相当于掌控了全球芯片制造产业。

在这样的背景之下，大家都想研发出自己的光刻机出来，特别是中国、俄罗斯这样的国家。

而从目前的情况来看，整个光刻机市场也是风起云涌，接下来可能会迎来剧变。

一是ASML研发难，目前已经到了瓶颈了，ASML目前研发出了第二代EUV,也就是NA=0.55的 High NA EUV，支撑2nm乃至1nm制程。

而按照技术演变，接下来ASML要研发Hyper NA EUV（NA= 0.77），但是NA=0.77的EUV光刻机，ASML自己都没有把握。

因为NA每提升0.1都困难，现在要从0.55提升至0.77，ASML自己都说未必能够研发的出来，且研发出来后，成本也高很离谱，所以能不能全面商业化，也是个大问题。

而中国、俄罗斯则在创新和突破，中国一方面在研发EUV光刻机，但与此同时在NIL纳米压印、EBL电子束技术上也在不断的突破，而这两块如果有突破的话，是可以替代EUV光刻机的。

俄罗斯则是在尝试X射线技术，也想绕开EUV光刻机方案，俄罗斯甚至还定了一些目标，要在2030年前搞出可以替代EUV光刻机的产品，至于行不行，谁也不清楚。

另外日本也不认输，日本作为半导体材料、设备强国，在光刻机上其实也有佳能和尼康这两大巨头，曾经它们是光刻机王者，只是后来被ASML超过了。

佳能也有了NIL纳米压印机，据称能实现5nm芯片的制造，已被用于制造存储芯片。

可见，现在整个光刻机市场，正面临着变盘前的大浪，就看谁先研发出先进的光刻机出来，那么整个形势就会大变。

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