三星在FMS 2026展示最新存储产品蓝图：首发zHBM与V10 BV-NAND

在FMS 2026峰会上，三星发布了面向下一代AI基础设施的存储技术路线图，并首次展出zHBM、zNAND-O概念模型及业界首款V10  BV-NAND闪存，全面展示了其在AI时代的存储创新实力。

本次发布的核心亮点是全新zHBM架构。与传统HBM并列布局不同，zHBM通过先进晶圆键合技术将高带宽内存垂直堆叠于AI加速器上方，大幅缩短数据传输路径。据三星介绍，该系统性能预计达HBM5的8倍，内存密度提升超10倍，能效提高3倍，热阻降低逾50%，可显著支撑大规模AI训练与推理需求。同时，zHBM支持客户定制IP集成，进一步拓展了AI芯片设计的灵活性。

针对边缘AI场景，三星还推出了zNAND-O方案，目前还处于研发阶段。该产品兼顾高空间效率、低延迟与优异I/O性能，专为支持实时数据密集型 AI  应用的边缘计算环境而设计。

在NAND领域，三星正式揭晓V10  BV-NAND，这是继2013年首创V-NAND后的又一里程碑。该产品采用全新键合V-NAND架构，层数突破400层，存储密度较前代V9提升约58%，同时在读取、写入和I/O性能方面均实现显著进步，为AI数据中心提供更高容量与效能的存储基础。

此外，三星还展出了完整的AI存储产品矩阵，包括已启动送样的HBM4E、HBM5、业界首款集成存内计算（PIM）技术的LPDDR5X-PIM，以及PM1763等企业级SSD。其中，LPDDR5X-PIM可在内存内部直接处理数据，有效缓解“内存墙”瓶颈。从HBM到PIM再到企业存储，三星正以全栈式3D存储创新，驱动AI算力基础设施迈向新阶段。

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