SK海力士推出iHBM散热解决方案以提升AI性能

SK海力士公司宣布推出iHBM解决方案，该方案在下一代HBM产品的高带宽存储器封装内嵌入了集成冷却元件（ICE）。随着HBM技术向更高堆叠层数和更快速度发展以满足AI数据处理激增的需求，热管理已成为一项关键挑战。在芯片间物理层（D2D PHY，即连接HBM与GPU的接口）中高效管理功率密度，已成为决定下一代HBM竞争力的关键因素。

通过iHBM解决方案，该公司从结构层面着手解决热管理问题。现有的HBM产品依赖间接冷却方式，通过核心芯片将热量导出。相比之下，iHBM解决方案将ICE直接放置在热量最集中的D2D PHY区域，从而创建额外的散热路径。这一最新散热管理方案有助于将热阻降低30%，并使芯片即使在高温高压条件下也能稳定运行。

SK海力士的大规模量产能力也是一大关键优势，基于其经过市场验证的大规模回流模塑底部填充（MR-MUF）技术的晶圆级封装（WLP）工艺，能够实现搭载iHBM芯片的稳定大规模量产。此外，该解决方案与现有的系统级封装（SiP）架构具有高度的设计兼容性，使客户能够以最小的设计调整来采用这项新的散热技术。

通过计划部署于包括HBM5在内的下一代HBM产品中的iHBM解决方案，SK海力士旨在通过满足高密度和高带宽环境所要求的热管理标准，来提升高性能计算（HPC）和AI数据中心的稳定性与运行效率。