Intel 18A-P官方实测：0.5V频率暴涨30%

8月23到25日，Hot Chips 2026在斯坦福开讲。英特尔在台上甩出一个硬数字：已经进入生产阶段的x86芯片实测，18A-P工艺在0.5V电压下，运行频率比同规格的FinFET核心高30%。要知道，PPT上展示的这些指标是从量产硅片上测出来的。

英特尔工艺演进脉络，18A-P是18A的性能增强版

先看看这个30%是怎么来的。在同电压、同架构下进行核心对比测试，一边是18A-P的RibbonFET加背面供电，一边是传统FinFET。架构一样、电压一样，差别只在于工艺本身。也就是说这30%是单纯工艺差别带来的，跟换不换新架构没关系。另外，高电压区间也有提升，幅度是两位数。

要搞明白18A-P是什么，得先从英特尔的工艺发展线聊起。2019年英特尔深陷10nm泥潭，之后启动五年四节点计划：Intel 7、Intel 4、Intel 3持续发力，原定的20A在2024年底被直接砍掉，资源全部并入18A。18A是英特尔第一个2纳米级节点，两大杀器同时上：RibbonFET全环绕栅极晶体管，栅极把沟道四面包住，电流控制比FinFET精细；PowerVia背面供电，电源线全部搬到晶圆背面，正面只走信号。对比Intel 3，每瓦性能提升15%，密度增加30%。去年下半年量产，第一批产品就是今年1月上市的酷睿Ultra 300（Panther Lake）和上半年的至强6+（Clearwater Forest，288个E核）。

18A-P则是18A的性能增强版，今年6月进入风险试产，与18A的设计规则完全兼容，现有设计可以直接迁移过来用。增强点主要有四块：1、晶体管上新增Power Boost双接触器件W3P，接触电阻大幅降低，同等电容下速度快10%，NMOS外部电阻降20%，PMOS降12%；2、增补W1、W1.5两个低功耗器件。3、供电上沿用PowerVia，动态压降最坏情况下降低10倍，18A上单靠这技术相对 FinFET 的提升在1.1V提频5%、0.95V提频7.5%。4、互连上多加两层粗金属层，换2%到3%的频率。散热上键合堆叠热导率提50%，热阻降20%到40%。综合来看，同功耗性能比18A高出9%以上，同性能功耗低18%以上。

放到全行业又是什么水平？台积电N2今年也上GAA纳米片，但N2没有背面供电，背面供电要等到A16，2026年下半年才量产。三星更慢，背面供电排给2027年的SF2Z。等于在背面供电这一项上，英特尔领先台积电大约一代、领先三星一年多。取得断代式的领先，英特尔也做出了相应的取舍，18A每平方毫米约2.4亿晶体管，台积电N2超过3亿，英特尔选了性能路线，把面积优势让出去换频率和能效。这一思路对CPU来说没问题，CPU吃频率；对追求密度的手机SoC可就不一样。

三大厂GAA与背面供电布局，Intel率先把背面供电推进量产

目前有两款产品已确认用上18A-P。服务器端是Diamond Rapids至强，最高256个P核，配1.28GB缓存，16颗18A-P计算小芯片加4颗Intel 3-T基座芯片，用Foveros Direct 3D封装拼起来。消费端就是Nova Lake酷睿，之前聊过的52核旗舰那一代（感兴趣的朋友可以回看《Nova Lake-S全家曝光，12款型号从6核打到52核》）。低电压能效对应笔记本续航，高电压频率对应桌面性能，一款工艺应对两种完全不同的需求。代工侧也有动静，日本Socionext在8月19日宣布用18A-P做AI/HPC定制芯片，这是首个公开的外部客户。

18A-P对比 18A 提升点：