张大妈

存储芯片三大赛道:AI浪潮下的核心机遇

源自新浪微博:朱新宝2026

01-24 15:00

存储芯片是数字世界的基石,正开启由AI驱动的新一轮上行周期。理解DRAM、NAND Flash及NOR Flash三大核心赛道,以及其中的竞争格局与技术趋势,对于把握未来科技产业脉搏至关重要。这份梳理将揭示国产突破的路径与下游需求爆发的关键点。

存储芯片三大赛道:AI浪潮下的核心机遇智能速览

  • DRAM与NAND Flash几乎垄断整个存储芯片市场。

  • 2024年存储行业已进入新一轮上行周期,供需两端改善。

  • 全球DRAM市场由三巨头主导,国内长鑫存储份额正快速突破。

  • AI服务器需求爆发,直接推高了高带宽内存HBM和企业级SSD的需求。

  • AI端侧应用成为增长最快的下游领域,未来五年复合增速超36%。

存储芯片三大赛道:AI浪潮下的核心机遇精华内容

在周期回暖与AI变革的双重驱动下,存储产业链的各个环节正迎来深刻变化。从竞争格局的重塑到技术路线的演进,新的机遇正在涌现。

DRAM:三足鼎立

全球DRAM市场由三星、SK海力士和美光三家寡头垄断,2025年二季度三者合计份额已超93.7%。

随着AI需求爆发,原厂产能转向高毛利的DDR5与HBM,导致DDR4等利基市场供给收紧,价格持续看涨。

国内企业长鑫存储成为关键破局者,其DRAM出货量预计同比增长50%,全球份额有望突破5%,实现了从0到1的规模化突破。

NAND Flash:四强争霸

NAND Flash市场由三星、SK海力士、铠侠和美光四大巨头主导,合计份额超过80%。

AI服务器的爆发式增长极大拉动了对企业级SSD的需求,行业呈现“总量供给平稳、高端产能紧缺”的特征。

技术上,层数竞赛激烈,三星已量产286层并规划400+层,国内长江存储也已量产232层产品,正加速追赶国际巨头。

NOR Flash:小而关键

NOR Flash虽容量小,但凭借高读取速度和高稳定性,成为手机、物联网、汽车电子等设备启动程序的“随身记事本”。

全球市场由华邦、旺宏、兆易创新等厂商主导,前四大厂商份额合计达74.6%。

国内兆易创新已成为全球领先者之一,普冉股份等企业也在细分领域加速国产化替代,竞争格局清晰。

下游需求新引擎

存储芯片的下游需求正被AI端侧应用重塑。AI智能手机、AIPC、AI眼镜及智能驾驶等新场景落地,催生了爆发式增长需求。

数据显示,2024年AI端侧存储市场规模已达179亿美元,2025至2029年的复合年增长率预计高达36.4%,在所有应用领域中增速最快。

其中,LPDDR内存模块和嵌入式存储的增速尤为突出,成为驱动市场扩容的核心力量。

存储芯片行业正站在周期与技术的双拐点,国产化进程与AI浪潮交织,孕育着巨大机遇。从上游突破到下游应用,一个全新的竞争格局正在形成。面对这场关乎未来的科技竞赛,谁能抓住核心赛道,谁就能在数字时代赢得先机。

精选参考来源

存储”即未来!吃透【存储芯片】3大关键赛道(附核心竞争标的)01 产业链全景图02 存储行业存储芯片本质是半导体做的 “电子记忆仓库”,专门用来存放数据和程序,不管是手机、电脑这类消费电子产品,还是企业数据中心、云计算平台、高性能计算系统,要实现数据存储功能都离不开它,是核心关键部件。目前半导体存储市场里,DRAM 和 NAND Flash 是绝对主力,其中 DRAM 占了约 55.9% 的市场份额,NAND Flash 占比大概 44.0%,两者几乎垄断了整个存储赛道。具体分类如下:存储市场的周期属性特别明显,现在正处在往上走的上行期。回头看历史数据,2020 到 2021 年全球存储市场涨得很猛,核心是供需两端一起发力:一方面存储工艺越来越成熟,原厂能造更多芯片,另一方面终端需求也在扩大,双重刺激下市场一路走高。尤其是 2021 年,半导体行业出现产能短缺,下游模组厂商为了保住市场份额,不停追加订单囤货,直接带火了整个存储芯片市场。但到了 2022 年,受宏观环境、俄乌冲突等影响,半导体存储行业进入下行周期,消费电子需求和出货量都跟着下滑。不过经过一段时间的调整,上游原厂减少产能、消化了库存压力,供给端慢慢收缩;再加上下游需求回暖,消费电子、AI 服务器这些市场都变得景气起来。多因素叠加下,2024 年存储行业市场规模明显回升,正式开启新一轮上行周期。03 行业竞争格局及标的梳理03-1、DRAM:三足鼎立,国产突破DARM从2025年初开始就原地起飞,价格一路飙升:全球 DRAM 市场是典型的 “三巨头说了算” 的寡头垄断格局,三星、SK 海力士、美光三家原厂牢牢占据主导地位,国内目前只有长鑫存储实现了规模化突破,站稳了脚跟。随着 AI 需求爆发,原厂纷纷把产能和扩产重点转向 DDR5、HBM 这类高毛利产品,逐渐退出 DDR4 等利润较低的利基市场,这直接导致 DRAM 相关产品供给收紧,价格有望持续上涨。从具体市场份额来看,根据 CFM 闪存数据,2025 年二季度 SK 海力士份额涨到 38.2%,登顶全球第一,还进一步拉开了和三星的差距;三星以 33.5% 位列第二;美光稳坐第三把交椅,份额 22.0%,对应营收达 71 亿美元。国内方面,Counterpoint 预测显示,长鑫存储今年 DRAM 出货量将同比增长 50%,在全球 DRAM 市场的出货份额预计突破 5%。这一突破不仅填补了国内高端存储领域的空白,更在全球供应链中撑起了新的竞争支点。新兴方向-HBMHBM 是采用 3D 堆叠 + 硅通孔(TSV)技术的高性能 DRAM,凭借高带宽、低延迟的核心优势降低传输损耗,直接打破芯片性能瓶颈。HBM 作为 AI / 高性能计算核心存储,市场集中度远超传统 DRAM,SK 海力士、三星、美光三巨头主导格局:SK 海力士先发领跑 HBM3/HBM3E,三星技术迭代追赶,美光靠客户合作扩份额;国内长鑫存储实现技术突破,成潜在竞争者。产品端三巨头各有侧重:三星全产业链布局,海力士聚焦 HBM;产能上三星规划最大,海力士与美光相当,合肥长鑫加速追赶。核心企业全球来看,三星+美光+海力士的垄断地位依旧稳健,最新情况如下:国产企业以长鑫为代表,正在突破全球的垄断。长鑫在 DRAM 领域走 DDR4 与 DDR5 “双线并行” 路线,2019 年就实现 8GB DDR4 产品量产,成功撕开三星、SK 海力士、美光三巨头的垄断格局,成为国内首个规模化突破的企业。长鑫 DRAM 实现 DDR4/DDR5 双线布局:2023 年推出 LPDDR5 系列并获小米等验证。IPO 拟募资 345 亿元用于技改、研发及扩产,上市后将加速国产份额提升,补齐行业短板并带动产业链发展。03-2、存储:NAND Flash全球 NAND Flash 市场是典型的 “四大巨头主导” 格局,三星、SK 海力士、铠侠、美光牢牢掌控市场,供给端整体稳定,头部厂商扩产节奏偏谨慎;国内长江存储实现技术突破后稳步提升份额,已成为全球市场中不可忽视的供给力量。AI 服务器需求爆发直接带火企业级 SSD,这类高端应用对高良率 NAND 晶圆消耗极大,再加上先进制程产能爬坡速度有限,行业呈现出 “总量供给平稳、高端产能紧缺” 的核心特征。2025 年二季度全球 NAND Flash 市场稳健增长,据 TrendForce 数据:三星以 32.9% 市占率稳居第一,SK 集团 21.1% 位列第二,铠侠(13.5%)、美光(13.3%)、闪迪(12%)分列三至五位。当前竞争格局已明确:韩系厂商通过减产稳定价格,国内头部存储企业则凭借技术突破与产能扩张加速追赶,全球市场正迎来新的竞争平衡。产能方面,截至 2025 年三季度,全球 NAND 月产能约 170 万片(12 英寸晶圆):三星 60 万片、SK 海力士 30.8-36.8 万片、美光 23 万片、铠侠 / 西部数据合计 40 万片,长江存储快速追赶。技术端:三星量产 286 层(后续规划 400 层 +),SK 海力士量产 321 层(计划 400 层),美光量产 276 层,铠侠 / 西部数据量产 218 层;国产长江存储量产 232 层,旺宏量产 192 层。核心企业03-3、NOR Flash(非易失性闪存)NOR Flash 是一种 “小而快” 的非易失性闪存,就像电子设备里的 “随身记事本”—— 容量不大(通常以 MB 为单位),但读取速度快、稳定性强,断电后数据也能长期保留。它的核心优势是 “读得快、用得稳”,适合存储需要快速启动、频繁读取的小体量数据,比如手机、路由器的启动程序(BIOS)、物联网传感器的固件、汽车电子的控制程序等。和 NAND Flash(“大容量硬盘”)不同,NOR Flash 不用先整片擦除就能读取单个数据,启动效率更高,但写入 / 擦除速度较慢、单位容量成本高,所以不适合存海量文件。简单说,NOR Flash 的定位是 “嵌入式设备的启动与控制存储”,靠 “快、稳、小” 的特点,成为各类电子设备里不可或缺的 “小核心”。核心格局全球 NOR Flash 市场呈现 “国际巨头稳守核心、国内企业快速追赶” 的格局:国际巨头曾靠技术与产能优势占据核心份额,后来逐步退出,华邦、旺宏、兆易创新凭借成熟工艺和全品类覆盖站稳领先位置。这个市场看似分散,但头部集中度不低,前四大厂商华邦、旺宏、兆易创新、赛普拉斯合计占据 74.6% 份额,话语权集中。国内除兆易创新外,普冉股份等企业也实现技术突破与规模化量产,在消费电子、物联网等中低端细分领域形成强竞争力,国产化替代进程持续提速。核心企业04 下游需求旺盛存储芯片下游应用广泛,手机是最大需求端,占比 38.7%,服务器、电脑、消费电子、显卡依次以 15.0%、12.9%、9.4%、7.4% 的占比紧随其后。5G 落地与数字经济发展催生海量数据存储需求,全球数据总量呈爆发式增长,如同蓄水池水量持续涌入,需要更大容量的存储载体承接。存储芯片直接决定手机、电脑等终端设备的存储容量、运行速度与软件流畅度,也是数据中心和服务器承载海量数据、支撑互联网服务与云计算的核心组件。随着移动智能终端与数据中心服务器需求攀升,全球存储器市场规模随之扩大。AI端侧爆发在 AI 端侧领域,AI 智能手机、AIPC、AI 眼镜及智能驾驶等新场景正加速落地,带动 AI 端侧应用对存储产品的需求进入爆发式增长阶段。据弗若斯特沙利文数据,2024 年 AI 端侧存储市场规模已达 179 亿美元,2025 至 2029 年期间该市场增速将达到 36.4%,这一增速如同赛道中的领跑者,在存储芯片所有下游应用领域中位居首位。人工智能服务器、智能驾驶、物联网等多元场景需求,如同多台引擎驱动各类存储产品差异化增长,共同推动市场扩容。据机构数据:LPDDR:2025-2029 年复合年增长率(CAGR)达 15.7%,是存储赛道的领跑者,较 2020-2022 年 3.1% 的增速大幅跃升,主要因服务器和 AI 端侧对高带宽、低功耗存储的需求激增。内存模块:同期 CAGR 为 14.8%,由数据中心和汽车电子对 DDR5 等新一代内存的需求推动,在 AI 服务器、智能驾驶域控制器中表现突出。嵌入式存储:同期 CAGR 为 7.2%,受智能汽车、移动设备和端侧 AI 对高集成度存储的需求拉动。固态硬盘(SSD):同期 CAGR 为 6.0%,受益于数据中心、端侧及工业应用的持续存储需求。
内容由AI生成

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存储”即未来!吃透【存储芯片】3大关键赛道(附核心竞争标的)01 产业链全景图02 存储行业存储芯片本质是半导体做的 “电子记忆仓库”,专门用来存放数据和程序,不管是手机、电脑这类消费电子产品,还是企业数据中心、云计算平台、高性能计算系统,要实现数据存储功能都离不开它,是核心关键部件。目前半导体存储市场里,DRAM 和 NAND Flash 是绝对主力,其中 DRAM 占了约 55.9% 的市场份额,NAND Flash 占比大概 44.0%,两者几乎垄断了整个存储赛道。具体分类如下:存储市场的周期属性特别明显,现在正处在往上走的上行期。回头看历史数据,2020 到 2021 年全球存储市场涨得很猛,核心是供需两端一起发力:一方面存储工艺越来越成熟,原厂能造更多芯片,另一方面终端需求也在扩大,双重刺激下市场一路走高。尤其是 2021 年,半导体行业出现产能短缺,下游模组厂商为了保住市场份额,不停追加订单囤货,直接带火了整个存储芯片市场。但到了 2022 年,受宏观环境、俄乌冲突等影响,半导体存储行业进入下行周期,消费电子需求和出货量都跟着下滑。不过经过一段时间的调整,上游原厂减少产能、消化了库存压力,供给端慢慢收缩;再加上下游需求回暖,消费电子、AI 服务器这些市场都变得景气起来。多因素叠加下,2024 年存储行业市场规模明显回升,正式开启新一轮上行周期。03 行业竞争格局及标的梳理03-1、DRAM:三足鼎立,国产突破DARM从2025年初开始就原地起飞,价格一路飙升:全球 DRAM 市场是典型的 “三巨头说了算” 的寡头垄断格局,三星、SK 海力士、美光三家原厂牢牢占据主导地位,国内目前只有长鑫存储实现了规模化突破,站稳了脚跟。随着 AI 需求爆发,原厂纷纷把产能和扩产重点转向 DDR5、HBM 这类高毛利产品,逐渐退出 DDR4 等利润较低的利基市场,这直接导致 DRAM 相关产品供给收紧,价格有望持续上涨。从具体市场份额来看,根据 CFM 闪存数据,2025 年二季度 SK 海力士份额涨到 38.2%,登顶全球第一,还进一步拉开了和三星的差距;三星以 33.5% 位列第二;美光稳坐第三把交椅,份额 22.0%,对应营收达 71 亿美元。国内方面,Counterpoint 预测显示,长鑫存储今年 DRAM 出货量将同比增长 50%,在全球 DRAM 市场的出货份额预计突破 5%。这一突破不仅填补了国内高端存储领域的空白,更在全球供应链中撑起了新的竞争支点。新兴方向-HBMHBM 是采用 3D 堆叠 + 硅通孔(TSV)技术的高性能 DRAM,凭借高带宽、低延迟的核心优势降低传输损耗,直接打破芯片性能瓶颈。HBM 作为 AI / 高性能计算核心存储,市场集中度远超传统 DRAM,SK 海力士、三星、美光三巨头主导格局:SK 海力士先发领跑 HBM3/HBM3E,三星技术迭代追赶,美光靠客户合作扩份额;国内长鑫存储实现技术突破,成潜在竞争者。产品端三巨头各有侧重:三星全产业链布局,海力士聚焦 HBM;产能上三星规划最大,海力士与美光相当,合肥长鑫加速追赶。核心企业全球来看,三星+美光+海力士的垄断地位依旧稳健,最新情况如下:国产企业以长鑫为代表,正在突破全球的垄断。长鑫在 DRAM 领域走 DDR4 与 DDR5 “双线并行” 路线,2019 年就实现 8GB DDR4 产品量产,成功撕开三星、SK 海力士、美光三巨头的垄断格局,成为国内首个规模化突破的企业。长鑫 DRAM 实现 DDR4/DDR5 双线布局:2023 年推出 LPDDR5 系列并获小米等验证。IPO 拟募资 345 亿元用于技改、研发及扩产,上市后将加速国产份额提升,补齐行业短板并带动产业链发展。03-2、存储:NAND Flash全球 NAND Flash 市场是典型的 “四大巨头主导” 格局,三星、SK 海力士、铠侠、美光牢牢掌控市场,供给端整体稳定,头部厂商扩产节奏偏谨慎;国内长江存储实现技术突破后稳步提升份额,已成为全球市场中不可忽视的供给力量。AI 服务器需求爆发直接带火企业级 SSD,这类高端应用对高良率 NAND 晶圆消耗极大,再加上先进制程产能爬坡速度有限,行业呈现出 “总量供给平稳、高端产能紧缺” 的核心特征。2025 年二季度全球 NAND Flash 市场稳健增长,据 TrendForce 数据:三星以 32.9% 市占率稳居第一,SK 集团 21.1% 位列第二,铠侠(13.5%)、美光(13.3%)、闪迪(12%)分列三至五位。当前竞争格局已明确:韩系厂商通过减产稳定价格,国内头部存储企业则凭借技术突破与产能扩张加速追赶,全球市场正迎来新的竞争平衡。产能方面,截至 2025 年三季度,全球 NAND 月产能约 170 万片(12 英寸晶圆):三星 60 万片、SK 海力士 30.8-36.8 万片、美光 23 万片、铠侠 / 西部数据合计 40 万片,长江存储快速追赶。技术端:三星量产 286 层(后续规划 400 层 +),SK 海力士量产 321 层(计划 400 层),美光量产 276 层,铠侠 / 西部数据量产 218 层;国产长江存储量产 232 层,旺宏量产 192 层。核心企业03-3、NOR Flash(非易失性闪存)NOR Flash 是一种 “小而快” 的非易失性闪存,就像电子设备里的 “随身记事本”—— 容量不大(通常以 MB 为单位),但读取速度快、稳定性强,断电后数据也能长期保留。它的核心优势是 “读得快、用得稳”,适合存储需要快速启动、频繁读取的小体量数据,比如手机、路由器的启动程序(BIOS)、物联网传感器的固件、汽车电子的控制程序等。和 NAND Flash(“大容量硬盘”)不同,NOR Flash 不用先整片擦除就能读取单个数据,启动效率更高,但写入 / 擦除速度较慢、单位容量成本高,所以不适合存海量文件。简单说,NOR Flash 的定位是 “嵌入式设备的启动与控制存储”,靠 “快、稳、小” 的特点,成为各类电子设备里不可或缺的 “小核心”。核心格局全球 NOR Flash 市场呈现 “国际巨头稳守核心、国内企业快速追赶” 的格局:国际巨头曾靠技术与产能优势占据核心份额,后来逐步退出,华邦、旺宏、兆易创新凭借成熟工艺和全品类覆盖站稳领先位置。这个市场看似分散,但头部集中度不低,前四大厂商华邦、旺宏、兆易创新、赛普拉斯合计占据 74.6% 份额,话语权集中。国内除兆易创新外,普冉股份等企业也实现技术突破与规模化量产,在消费电子、物联网等中低端细分领域形成强竞争力,国产化替代进程持续提速。核心企业04 下游需求旺盛存储芯片下游应用广泛,手机是最大需求端,占比 38.7%,服务器、电脑、消费电子、显卡依次以 15.0%、12.9%、9.4%、7.4% 的占比紧随其后。5G 落地与数字经济发展催生海量数据存储需求,全球数据总量呈爆发式增长,如同蓄水池水量持续涌入,需要更大容量的存储载体承接。存储芯片直接决定手机、电脑等终端设备的存储容量、运行速度与软件流畅度,也是数据中心和服务器承载海量数据、支撑互联网服务与云计算的核心组件。随着移动智能终端与数据中心服务器需求攀升,全球存储器市场规模随之扩大。AI端侧爆发在 AI 端侧领域,AI 智能手机、AIPC、AI 眼镜及智能驾驶等新场景正加速落地,带动 AI 端侧应用对存储产品的需求进入爆发式增长阶段。据弗若斯特沙利文数据,2024 年 AI 端侧存储市场规模已达 179 亿美元,2025 至 2029 年期间该市场增速将达到 36.4%,这一增速如同赛道中的领跑者,在存储芯片所有下游应用领域中位居首位。人工智能服务器、智能驾驶、物联网等多元场景需求,如同多台引擎驱动各类存储产品差异化增长,共同推动市场扩容。据机构数据:LPDDR:2025-2029 年复合年增长率(CAGR)达 15.7%,是存储赛道的领跑者,较 2020-2022 年 3.1% 的增速大幅跃升,主要因服务器和 AI 端侧对高带宽、低功耗存储的需求激增。内存模块:同期 CAGR 为 14.8%,由数据中心和汽车电子对 DDR5 等新一代内存的需求推动,在 AI 服务器、智能驾驶域控制器中表现突出。嵌入式存储:同期 CAGR 为 7.2%,受智能汽车、移动设备和端侧 AI 对高集成度存储的需求拉动。固态硬盘(SSD):同期 CAGR 为 6.0%,受益于数据中心、端侧及工业应用的持续存储需求。

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