铠侠计划2026H2量产第十代BiCS FLASH闪存：总层数332层，将改造现有工厂

今年初，铠侠（Kioxia）和闪迪（Sandisk）合作，在ISSCC 2025上公布了其第十代BiCS FLASH闪存技术。与上一代产品相比，新款3D NAND闪存的性能提高了33%，位密度、接口速率和功率效率也有所提高。

据TrendForce报道，虽然主要NAND闪存制造商仍然对产能扩张持谨慎态度，但是铠侠正在采取新的战略举措，计划于2026年下半年开始大规模生产BiCS10 FLASH 3D NAND闪存，旨在满足人工智能（AI）数据中心不断增长的需求。

数月前，铠侠位于日本岩手县北上市的新建半导体生产设施Fab 2（K2）已开始运营。传闻铠侠并不会另外为BiCS10 FLASH 3D NAND闪存新建生产线，而是选择对这间工厂的生产线进行改造，以满足生产要求。

从第八代BiCS  FLASH闪存技术上开始，铠侠便引入了CBA（CMOS directly Bonded to  Array）技术，将每个CMOS晶圆和单元阵列晶圆单独制造后粘合在一起。第九代BiCS  FLASH闪存技术则是利用CBA技术降低生产成本，同时实现高性能，其中整合了现有的存储单元技术与最新CMOS技术。

到了第十代BiCS  FLASH闪存技术，铠侠将增加存储层的数量，从第八代BiCS  FLASH闪存技术的218层增至332层，总层数增加了38%；优化平面布局后，位密度提升了59%，进一步增强了存储密度；采用了Toggle  DDR6.0接口标准和SCA协议，将NAND  I/O接口速度从3.6Gbps提升至4.8Gbps；引入PI-LTT技术，从而降低了功耗，其中数据输入功耗降低10%，输出功耗降低34%。

有业内人士表示，由于铠侠和闪迪缺乏DRAM业务，所以不会像三星、SK海力士和美光那样保守，策略上更为进取，希望趁着这次“存储芯片超级周期”进一步提升自身的市场地位。

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