符合UFS 3.0、750MB/s性能：WD 西数 发布 iNAND EU511 闪存芯片

在本届MWC 2019大会上，Western Digital（西部数据）发布了新一代iNAND嵌入式闪存——iNAND MC EU511，符合UFS 3.0规范，采用96层3D NAND，最大容量512GB，顺序读写高达750MB/s，可为未来的5G设备提供更好体验。目前，西数iNAND EU511闪存已开始向OEM客户出样，主要面向5G旗舰手机，平板、 Chromebook 、AR 、VR 、人工智能和相机等设备，相关新品有望在年内上市。

西数iNAND EU511采用最先进96层堆栈技术，容量64GB-512GB，具体颗粒类型未透露，业内普遍猜测是3D TLC。另外，支持UFS 3.0 Gear 4/2 Lane规范，单通道双向11.6Gpps，因此双通道双向带宽理论最高可达23.2Gbps，大约是2.9GB/s。依靠西数SmartSLC Generation 6技术，最高顺序读写可达750MB/s，是现有技术的两倍，而随机读写分别提升75%和25%，官方表示可帮5G设备实现4K/8K视频高速下载，只需3.6秒即可下载一部2小时时长的电影。