长江存储、长鑫存储携手攻克HBM，中国加速打造自主AI存储链

高带宽内存（HBM）因在AI计算中的关键作用，已成为全球半导体产业竞争的焦点。最新消息显示，长江存储正准备切入DRAM领域，并与长鑫存储展开深度合作，共同攻关HBM技术。业内认为，这一组合堪称“强强联合”：长鑫拥有坚实的DRAM基础，而长江存储掌握的Xtacking晶栈工艺可用于内存的键合与封装，尤其在HBM迭代加速的背景下，先进封装对提升带宽与散热性能至关重要。

据了解，长鑫存储已在HBM2上取得实质性突破，目前已向客户送样，预计最快在2026年中实现小规模量产。同时，公司还在研发HBM3及HBM3E，目标在2026至2027年实现技术落地。长江存储的加入则有望在封装环节补齐短板，为国内HBM产业链形成合力。

实际上，国内HBM发展已进入“协同作战”阶段。武汉新芯正推进封装技术，通富微电子等厂商则在封装测试环节投入资源。虽然与三星、SK海力士和美光等国际巨头相比，中国在技术和量产能力上仍有明显差距，但追赶速度正在加快。

与此同时，外部环境日益严峻。美国去年已将HBM纳入管制范围，并加强了设备与技术出口限制，试图切断中国在高性能存储领域的技术来源。在这种压力下，国内厂商间的合作不仅是技术突破的需求，也是应对外部封锁的必然选择。

可以预见，随着长鑫与长江存储的协同推进，中国HBM产业有望逐步突破封装瓶颈，构建自主可控的AI算力基础。虽然挑战仍在，但产业链“抱团取暖”的趋势，正在为国产HBM的发展争取宝贵的时间与空间。