三星新内存路线图：HBM5目标性能翻倍，zHBM目标8倍

据三星称，HBM5的目标是实现HBM4E两倍的性能，并将每瓦性能提高20%，同时将热阻降低20%。作为变化，基础裸片从HBM4和HBM4E使用的4纳米工艺转向三星自研的2纳米节点，堆叠选项扩展至12层、16层和20层，量产预计将在2028年左右。最近，三星在Hot Chips 2026会议的预告项目中确认，该公司正准备出货每引脚速度达16 Gbps的HBM4E内存，其目前正在出货每引脚速度为11.7 Gbps的HBM4。

zHBM采用了更为激进的方式——传统HBM将内存放置在加速器旁边，而zHBM则将内存直接堆叠在处理器上方，缩短数据路径，提供更高的带宽和效率。借助zHBM，三星的目标是实现HBM4E八倍的原始性能和三倍的每瓦性能，同时将热阻降低75-90%。在FMS 2026上，三星展示了业界首个zHBM概念模型，并预计将在2029年后推出这种截然不同的架构。重新思考HBM架构似乎正成为行业发展的方向，英伟达最近宣布了自己的NVHBM定制内存，将内存控制器移入HBM基础裸片中，而非保留在计算裸片上。

在NAND方面，三星正在开发zNAND-O，目标于2028年出样。借此，该公司旨在实现DRAM 10倍的位密度、7倍的读取带宽，同时保持传统NAND的能效。

三星还在不久前的Memory Executive Summit上阐述了其"C.U.B.E"框架：涵盖容量（Capacity）、利用率（Utilization）、带宽（Bandwidth）和效率（Efficiency）四大优先方向。该战略的核心在于：通过垂直内存扩展来增加容量，而不增加PCB占用面积；通过优化的3D架构来降低延迟；以垂直高速通道取代水平数据通路；并聚焦于比特级的功耗效率与热管理。