Intel 18A工艺就用了 台积电回应High NA EUV光刻机落后

快科技10月15日消息，ASML的EUV光刻机正在从当前的Low NA EUV转向High NA EUV，单台价格也会从2亿美元提升到4亿美元左右，但这次首发的不再是台积电。

在High NA EUV光刻机上，Intel公司后来居上，之前计划是14A工艺上采用，现在已经在去年底量产的18A工艺上使用了，这个进度比其他厂商领先4-5年以上。

台积电这次对High NA EUV光刻机的态度很保守，要知道他们是全球第一个量产EUV工艺的，早在2018年的7nm工艺上就率先导入EUV光刻了——当年三星比台积电官宣量产EUV的时间早，但三星的没啥产出，市场还是公认台积电最早量产EUV。

正因为此，台积电对High NA EUV的保守态度也引发了关注，他们公布的计划是2030年才开始导入这种工艺。

在日前的财报会议上台积电再次回应了他们为何不率先采购High NA EUV光刻机的原因，表示台积电选择在2030年开始采用，是因为公司认为届时High NA技术将足够成熟。

台积电声称，目前正与ASML紧密合作，计划在2031年前确立12英寸光罩标准，届时台积电认为High NA的成本将达到适合台积电投入量产的合理水平，这是一项非常出色的工具，在更小的几何尺寸上无疑能带来优势。

至于台积电比竞争对手更晚采用是否会对台积电构成劣势，台积电表示他们坚信自己依然是为客户提供最先进技术的领先企业。

从台积电的回应来看，不率先采用High NA EUV的原因其实就是2个，一个是贵，High NA EUV光刻机自身贵，工艺成本也贵。

第二个原因跟High NA EUV的缺陷有关，我们之前提到过这一点，当前的Low NA EUV光刻机能生产大约800mm2的大芯片，而High NA EUV因为视场的原因，生产的芯片面积减半到400mm2左右，做不了大型AI芯片。

这需要更先进的光罩技术，这就是台积电上面说的跟ASML公司合作研发12英寸光罩标准的事，这个问题解决了才能生产大型AI芯片，High NA EUV才有量产的意义。

编辑：宪瑞

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