佰维DW100时空行者DDR5 6000 C28 32GB超频试玩:AM5低延迟搭档
在英特尔U200S平台经历了滑铁卢后,发挥正常的AM5 9000平台就成了老艺术家,而9800X3D更是游戏玩家升级的理想选择,各大内存厂家也在第一时间根据AMD特有的IOD分频策略推出专属的低延迟DDR5内存套装;最近管家更换成了9700X测试平台,并同时入手了来自BIWIN佰维的DW100时空行者DDR5电竞内存6000 CL28,容量为16Gx2,其C28时序低延迟特性几乎是为AM5平台而生的,在这里做个简单开箱超频试玩给大伙分享一下~

产品开箱
佰维BIWIN DW100时空行者DDR5 32G内存套装(下文简称“佰维DW100”)在包装风格上颇有气质,纯黑配色配合产品渲染图,其RGB特性搭配熔岩背景图颇有浴火重生的味道,从包装信息可以看到,佰维DW100支持各大主板厂家ARGB灯效同步功能,内存获得2024年德国红点奖、2024法国设计奖以及2025 CES创新奖。
包装正面
本次入手规格为16Gx2 6000MHz套装
DW100最近还推出了OCLAB版本,值得期待
2024德国红点奖+法国设计奖
BIWIN佰维是深耕储存产品多年老牌了
包装背面
产品特性&中国制造在产品特性上,佰维DW100配备了自家设计的高性能散热马甲并支持英特尔XMP、AMD EXPO一键超频、on-die ECC技术并支持ASUS/MSI/Gigabyte/ASRock四家主板内存灯效同步软件,产品本身由中国制造并享有终身质保服务,符合其高端超频内存产品定位。
多国安规认证+终身质保
没有附件~作为一款高端定位的超频内存产品,佰维DW100本身并没有配备其他附件,考虑到本身内存6000MHz规格亦不像8000MHz那样需要配备风扇改善散热,可以说该有的都有了,玩家可以做到上手即用。
产品细节
管家本次入手的佰维DW100为白色版本,内存外观上使用了三位面交叉错位的奇幻时空主题搭配顶部ARGB灯带,视觉上方正的造型多了几分立体感;内存散热采用表面电泳工艺处理的2mm铝合金马甲,在保证散热性能的同时手感也更细腻一些;内存PCB为常见的黑色。
内存正面作为一款超频内存产品,佰维DW100的散热马甲无论是设计还是用料都非常考究,2mm厚度的散热马甲大幅提升热容降低发热,同时非对称的设计在视觉上增强了立体感;相比DDR4时代而言,DDR5本身加入了PMIC电源管理芯片,精确的电压控制也增加了内存发热,加厚马甲设计就变得很有必要了。
BIWIN佰维
DDR5内存种类
时空主题的造型更强调立体感在佰维DW100背面我们可以看到,内存颗粒来自SK海力士,内存工作时序为CL28 35 35 72,工作电压为1.4V,另外,内存为单面颗粒设计。
内存背面目前市售针对AMD AM5平台专属优化的6000MHz频率DDR5内存有大约3种时序规格,分别为CL26/28/30三种,能上CL28属于在大众体质基础上进行特挑筛选的优质颗粒,虽然离CL26这种极限筛选的存在一些距离,但CL28在主板QVL认证及兼容性上则更广泛一些。
铭牌参数一览不同于之前RGB时代各厂家采用细磨砂表面的雾面灯带,佰维DW100在采用均匀发光材料的前提下使用了光面表面设计,实际上机的时候该特性能反射其他设备,搭配柔和的RGB灯效,视觉体验很棒。
内存顶部RGB灯带
DW100字样特写在细节方面,佰维DW100采用双面高性能导热垫覆盖内存颗粒和PMIC电源管理芯片模块,该设计之前更多在6800~8000MHz高频内存中使用,能有效改善烤机场景下的稳定性表现。
内存采用单面颗粒设计
双层高性能导热垫简单灯效鉴赏
佰维DW100作为一款支持ARGB灯效的内存产品,其灯效颜值是相当不错的,整体灯效柔和且美观,管家就不多描述了,大伙直接看图吧,内存灯光效果照片为主板默认状态RGB循环,系统没有安装同步软件下拍摄。
内存顶部灯效一览(熄灯环境)
内存顶部灯光效果一览(开灯环境)
来一张顶部特写
右则视觉一览(熄灯环境)
顶部DW100 LOGO特写
灯光过渡柔和
左侧视觉一览(熄灯环境)
正面视觉(开灯环境)
内存尾部两侧灯效对比A
内存尾部灯效对比B
尾部灯效特写
还是挺酷炫的
大概就这样了~上机性能测试&简单超频
本次测试使用的平台为9700X+MSI X870 TOMAHAWK,主板解锁功耗上限并锁定全核心频率5GHz,关闭各种节能和PBO,同时核心电压和NB/SOC都使用override模式进行覆写+LLC mode03,测试系统为WIN10 22H2(版本号19045.4170),测试日期为2025年2月28日,室温20度/湿度90%+。
测试平台信息
BIOS内存信息通过主板内存信息界面和CPUZ可以看到,佰维DW100在未开启A-XMP和EXPO一键超频的情况下,默认运作在5600MHz CL46下的;在默认5600MHz下,AIDA64内存缓存测试成绩相对保守,内存读取57771MB/s,内存写入72267MB/s,内存复制54939MB/s,内存延迟91.3ns。
内存默认AUTO 5600MHz CL46
AIDA64内存缓存测试(AUTO 5600MHz CL46)
开启BIOS中的EXPO或A-XMP在主板中打开A-XMP或EXPO即可实现一键超频,作为AMD平台也理所当然开启EXPO了,一键超频流程非常顺利,内存成功超频至6000MHz CL28 35 35 72,值得注意的是,在部分版本BIOS下需要手动设定别让CPU分频,也就是截图中的UCLK=MEMCLK。
XMP非常顺利在XMP 6000MHz CL28 UCLK=MEMCLK设定下,佰维DW100的各方面性能有了明显提升,内存读取达到59317MB/s,内存写入81425MB/s,内存复制56361MB/s,内存延迟下降至77.3ns,提升较为明显;通过RunMemtestPro 烤机2小时27分362%稳定过测,EXPO超频设定下稳定性没有问题。
AIDA64内存缓存测试(XMP 6000MHz CL28 UCLK=MEMCLK)
RunMemtestPro 29475MB烤机2小时27分362%稳定过测当然了,AMD的9000系列在IOD体质上有了稍微改善,在CPU体质较好的情况下,非分频状态下是能实现6400MHz内存超频的,所以管家使用主板自带的Memory Try it内存超频功能加载6400MHz CL32 38 38 86设定档,尝试进行简单超频。
Memory try it预设超频6400MHz CL32
成功开机进系统超频过程非常顺利,在6400MHz CL32 UCLK=MEMCLK设定下,佰维DW100在内存写入性能上得到进一步提升,达到了84749MB/s,内存延迟则为77ns,略微下降;内存读取和复制基本上维持XMP下的表现,这一状况与AMD单核心die设计有关,想发挥完整内存读取和复制需要搭配9900X和9950X这类双核心die处理器。
AIDA64内存缓存测试(6400MHz CL32 UCLK=MEMCLK)在6400MHz CL32 UCLK=MEMCLK设定下,通过RunMemtestPro 29535MB烤机2小时12分331%成功稳定过测,可以说在保证延迟略微提升的前提下进一步增加内存写入性能,也算一个不错的选择。
RunMemtestPro 29535MB烤机2小时12分331%稳定过测结语:AM5平台低延迟搭档

在本次开箱超频试玩中,佰维DW100时空行者DDR5电竞内存6000 CL28 16GB×2的表现是相当亮眼的,作为针对AMD AM5平台专属优化的超频内存产品,其默认XMP/EXPO设定达到6000MHz CL28,可以说是AMD平台DDR5超频的最优解之一,让内存延迟从91ns下降至77ns,表现相当亮眼;电泳工艺处理2mm铝合金马甲+双面高性能导热垫,保证内存颗粒和PMIC在高压状态下低温+稳定,而时空主题外观搭配RGB亮面灯带设计颜值拉满;内存本身支持终身质保,通过简单超频即可实现6400MHz CL32,在可靠性和可玩性上都有所保障,值得肯定。
管家认为,佰维DW100时空行者DDR5电竞内存6000 CL28 16GB×2是一款针对AMD平台专属优化的内存套装产品,适合搭配AMD 9000X系列处理器乃至9800X3D这种游戏神U来提升整机性能。

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