电子显微镜下对比英特尔14nm和台积电7nm工艺差别

这些年在制程工艺上，Intel老是被诟病慢半拍，其实评价也不客观，毕竟Intel对制程节点的命名更严肃，所以才有Intel的10nm相当于甚至更优于台积电/三星7nm的说法。

想要从微观上鉴别制程差异，加拿大Up主Der8auer找来电子显微镜探究了一番，此次选取的对象是Intel 14nm+++工艺的酷睿i9-10900K和台积电7nm的AMD 锐龙9 3950X处理器。

开盖当然是基本操作了，还要尽可能把处理器搞得支离破碎，最后用导电胶固定在支架上，以便电镜X射线工作。

为了方便对比，特别选取的是各自处理器的L2缓存部分，这往往是工艺水准的集中体现。

简单来说，Intel 14nm芯片晶体管的栅极宽度为24nm，而AMD芯片的栅极宽度为22 nm，栅高也相当相似。

虽然乍一看两者并没有太大不同，但仔细一瞧，台积电的节点仍然比英特尔的密度要大得多，毕竟名义上领先一代。

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