三星发布 12nm 32Gb DDR5 内存颗粒,省电10%、容量翻倍,年底量产
三星日前宣布,推出业界首款最高容量为 32Gb DDR5 颗粒,采用12nm级工艺。短短4个月,三星就将容量翻倍,速度惊人。
据了解,新颗粒采用新的high-κ材料,而之前是TSV工艺,新工艺有助于提高电池电容,高电容导致数据信号出现明显的电势差,更便于准确区分。同时在降低工作电压和减少噪音方面的努力,也有助于三星提供客户需要的解决方案。新颗粒的功耗可以降低10%左右,使得企业用户更节省成本。
三星12nm级32Gb DDR5 DRAM将在今年年底开始量产。
值得一提的是,自 1983 年开发出第一个 64KB DRAM 以来,在过去 40 年里,容量已经提高了50万倍。
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