内存之后闪存也掉链子了 三星QLC被曝有质量缺陷

快科技9月18日消息，三星多年来是全球最大的DRAM内存供应商，也是最大的NAND闪存供应商，然而这两年来的发展并不太顺利。

内存芯片方面，从DDR5时代就开始被SK海力士逆袭，HBM内存更是落后于SK海力士，以致于连续2个季度被SK海力士赶超，保持了二三十年的内存一哥让位了。

闪存方面，其他厂商现在都开始量产300层以上的TLC、QLC了，三星则被曝出QLC掉链子，其第九代V9闪存做到了280层堆栈，去年4月就开始量产，首批是TLC闪存，核心容量做到了1Tb。

2024年9月开始量产V9 QLC闪存了，但是被曝出有质量缺陷，性能、延迟都有问题，全面量产V9 QLC闪存至少推迟到了2026年上半年。

三星的旗舰级QLC闪存依然停留在V7这一代，V8这一代也没有QLC类型闪存。

QLC闪存容量更大，成本也更低一些，因此是AI时代最受欢迎的闪存，需求比TLC都要高，三星关键时候掉链子，对他们的营收和份额显然会很不利。

在QLC闪存方面，SK海力士依然是当前的记录，8月份宣布第一个量产300+层的QLC闪存，达到了321层，并且已经开始量产，而且接口速度翻倍，写入性能还提升了56%，读取性能也提升了18%。

编辑：宪瑞

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