三星公布DRAM路线图：预计 DDR6 将突破 10Gbps

据德媒 computerbase 消息，三星在 Samsung Foundry Forum 2022 活动中介绍了其内存路线图，主题围绕着“更快，更大，更智能”几个方向。

在三星公布的内存路线图中，我们可以看到在即将到来的 2023 年，三星将进入 1bnm 工艺阶段并量产，内存芯片容量将达到 32Gb（4GB），接口速度将高达 7.2Gbps。

新一代 GDDR7 和 LPDDR5X 都会成为重要技术支柱，其中 LPDDR5X 的 IO 数据率可达 8.5 Gbps，比之前 LPDDR5（6.4 Gbps）提升 30%，而 GDDR7 的 IO 速率可达 36 Gbps，是之前 GDDR6 的两倍，之后的 AMD 和英伟达的新卡将可能会用上 GDDR7 显存。

此外三星还进行了一些长远的设想，如 2026 年推出 DDR6 内存，2027 年即实现原生 10Gbps 的速度。

三星此次还公布了其闪存的路线图，预计将在 2024 年推出 V9 NAND 芯片。