带你超频8000+丨阿斯加特女武神DDR5 24Gx2内存超频实测

2024-02-28 09:36:08 62点赞 58收藏 1评论

关于颗粒丨海力士新M-die

DDR5时代的海力士可以说是一枝独秀,之前的A-die颗因为不锁电压的设计和出色的超频潜力,一直是高端DDR5内存的标配,而最近几个月开始大量出货的单条24GB DDR5内存,则普遍采用的是海力士新版M-die颗粒,单颗3GB容量,单根内存可以做到24GB甚至48GB的容量。

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新版的M-die颗粒由于采用的是最新的制程工艺,因此具有功耗低性能强的特点,基础JEDEC频率都是5600MHz,XMP频率基本都在6800MHz起步,手动超频8000MHz算是基本盘,加上套条(24GB*2)价格比16GB*2贵不了多少,可以说是目前高性能DDR5平台装机的首选。

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今天分享的这套内存就是采用了海力士M-die颗粒的阿斯加特女武神DDR5内存条,单条24GB容量,XMP 6800MHz频率,不仅颜值出众,超频潜力也是极高。

内存开箱丨超高颜值女武神

作为嘉合劲威旗下的高端品牌,阿斯加特出品的产品一直都是以颜值和性能著称,之前使用ROG吹雪Z790装机的时候就搭配过阿斯加特的吹雪联名内存,此外还有博拉琪、TUF联名等系列,这套女武神·瓦尔基里也不例外。

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外包装正面可以看出阿斯加特女武神内存采用白色外观,顶部搭配有RGB灯条,身骑白马手持长剑的女武神漫画形象则占据了主要位置,右下角有内存规格标签:DDR5 6800 48GB(24GBx2)。

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包装盒采用封套+盖盒设计,包装内提供一双供装机使用的白色防静电手套,这也算是阿斯加特高端产品的标配。

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一张产品设计手稿,挺喜欢阿斯加特这种既能提升品牌宣传,又能给用户传达产品设计理念的小细节。

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内存外观设计走的是简约路线,方正的白色散热装甲,正面只有装饰线和Asgard标志 ,散热装甲厚度2mm,采用立体喷涂汽车烤漆工艺,表面细腻平整,质感丝滑,比较适合白色主题装机使用。

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内存顶部依旧是直平设计,正反两面的白色装甲夹层中是磨砂半透的导光条,光效是女武神内存颜值的主打,在北欧神话中,北极光就是来自女武神所骑白马在夜空中奔驰时盔甲闪耀的光。

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内存电路采用的10层强化版PCB,也是目前高端内存的标准,可以确保电气性能,提升内存的耐压性,同时减少电气信号之间的干扰,对内存的稳定运行很有帮助。阿斯加特女武神内存配有独立的PMIC电源控制芯片,搭配严选海力士M-die颗粒,不仅兼容性稳定性有保障,不锁电压的设计,还可以让玩家通过内存超频获取更强性能。

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再来看看上机点亮后的效果,内存顶部的柔白导光条焕发出来的光非常柔和漂亮,导光条下的8个独立可控的灯区,支持1680万色RGB色彩显示,不管是单色光还是幻彩,效果都非常棒,女武神内存这个颜值可以说是白色海景房装机的绝配。

测试平台丨内存超频板U需给力

现在Intel新一代DDR5平台对于XMP频率的支持基本不存在问题了,不过想要通过手动超频获得更高的内存频率,除了内存性能,主板支持和CPU体质也是缺一不可的,因此人均8000MHz主要还是看主板和CPU了。

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本次内存测试使用的平台配置如上。

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CPU没啥可说的,首选14代处理器,原生内存频率支持更高,我这里使用的是一颗i5-14600KF,主板使用的是技嘉AORUS Z790 冰雕X,支持内存8266MHz+OC频率,女武神内存和主板对于高频支持都没问题,冲击内存高频主要就看CPU的IMC(内存控制器)体质了。

性能测试丨手动超频8000MHz

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首先看看CPU-Z读取信息:处理器14600KF,主板技嘉Z790 AORUS X,内存制造商Asgard,DRAM制造商SK海力士,23年第52周生产,内存预设两组XMP频率,两组EXPO频率,其中XMP1 6800MHz时序CL34-46-46-108,内存电压均为1.35V,海力士M-die的电压整体偏低一些。

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初始频率这里就不做测试了,直接进入BIOS开启XMP1,顺带测试技嘉“高带宽低延时”开关表现。

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在AIDA 64内存与缓存测试中,关闭技嘉主板高带宽低延时测得:读取速度98642MB/s,写入速度91497MB/s,复制速度90016MB/s,延迟65.4ns。

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高带宽低延时开:读取速度101.22GB/s,写入速度100.66GB/s,复制速度97063MB/s,延迟66ns。

可以看到开启XMP6800频率后,内存的能效表现还是很可以的,并且CL34时序下的内存延迟表现也很好。在开启技嘉高带宽低延时的内存优化黑科技后,各项参数性能进一步提升。对于普通用户来说,开启XMP后就能获得一个比较好的内存性能,如果是技嘉主板用户,“高带宽低延时”黑科技还有加成。

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目前看海力士新M-die颗粒的超频门槛要比A-die更低一些,手动超频更容易上手,不过相比起DDR4内存超频,DDR5超频报错原因规律不明显,还是稍微有些难度,这里顺带说说如何手动超频操作。

首先需要明确硬件是否支持。手动超频到8000左右的高频率,主板、CPU体质、内存体质三者缺一不可,因此在尝试手动超频前需要确认主板和CPU是否支持内存超频,比如Z790主板就要比Z690主板的DDR5内存频率上限要高,目前可以确定只要是一线厂商的B760、Z790主板,搭配体质不差的13代、14代CPU,使用海力士A-die或者M-die颗粒内存,基本可以确保稳定超频到7600MHz。

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硬件OK,剩下的就是BIOS设置、稳定性测试,建议正式开始前先确认主板BIOS为最新版本,目前各家板厂BIOS更新主要还是优化提升DDR5内存频率,往往新版本BIOS内存兼容性更好一些。拿我的这个主板BIOS来说,上市以来已经更新了3版,目前我已经更新到了最新版本。

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下面以技嘉主板为例直接开始超频操作,重启进入BIOS,在【频率/电压控制】中关闭XMP超频,关闭技嘉主板的高带宽低延迟功能,内存频率选择8000MHz,我这套硬件已经摸索了一段时间,技嘉主板自带的一键超频也尝试过,8000MHz可以直接点亮,如果你是第一次超内存,建议从7600MHz或着7200MHz开始,逐步往上超。

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进入【高级内存设定】,【内存参考频率】设置为100,【Gear模式】选择Gear 2,【SA GV】设置为停用。

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接着进入【内存通道时序】配置页,修改第一时序为38-48-48-70,一般建议刚开始时序选择宽松一些,摸准电压过测后再进行优化缩紧。

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回到【频率/电压控制】页面,CPU系统代理电压也就是SA电压我这里选择的是自动,VDDQ CPU和VDD2 CPU电压技嘉预设的M-die 24G颗粒超频参数给的是1.4,可以在这个基础上开始尝试。

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在【内存电压控制】里,对内存VDD、VDDQ和VPP电压进行设置,海力士M-die颗粒超8000MHz,VDD和VDDQ建议1.45V起步,根据TestMem5测试报错进行调整,VPP电压建议1.9V,这个基本不用调整。

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设置完成后按F10保存重启,开机进入系统,使用TestMem5进行压力测试,测试系统稳定性,一般来说使用TestMem5 1us配置文件进行3轮测试不报错可以认为稳定性过测。不过通常刚开始超频都会迅速报错,需要不断尝试修改CPU和内存电压设置,一般建议单次只修改一个变量,并且做好统计,直到找到稳定的电压过测后再优化时序和小参。

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这里放一下最终我超频过测的详细设参数供参考,VDDQ CPU电压1.41V、VDD2 CPU电压1.44V,内存VDD和VDD2电压均为1.53V,VPP电压1.9V,时序36-48-48-58,小参见图,TestMem5 1us配置文件压力测试4轮稳定无报错。

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8000MHz下读取速度117.01GB/s,写入速度119.58GB/s,复制速度112.42GB/s,延迟53.8ns,内存读写性能对比XMP 6800MHz提升超过10%,而且延迟表现也要提升不少。

对比XMP6800频率和XMP8000频率的差价,手动超频带来的性能提升还是很值的。

总结

相比起传统海力士A-die颗粒,新版M-die颗粒DDR5内存在超频性能上表现更优秀,超频起来也要更容易一些,并且单颗3GB颗粒带来的单条24GB容量,性价比更高。

拿本次测试使用的阿斯加特女武神DDR5 48GB内存套条来说,超频性能优异,纯白设计搭配出色的光效,非常现在流行的纯白主题海景房装机。

作者声明本文无利益相关,欢迎值友理性交流,和谐讨论~

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