HBM 之父大胆预言：AI 权力中心将从 GPU 转向内存，英伟达可能会收购内存厂商

被誉为“HBM 之父”的韩国科学技术院教授金正浩在节目中直言，在人工智能时代，技术权力的重心正从 GPU 转向内存。他认为，高带宽闪存（HBF, High Bandwidth Flash）将成为继高带宽内存（HBM）之后的新焦点，甚至预言英伟达未来可能收购一家内存厂商，以稳固其在 AI 产业链中的地位。

金正浩是将 HBM 从概念变为现实的关键人物，曾主导多项核心技术研究，包括硅通孔（TSV）、中介层（Interposer）以及信号和电源设计等。他指出，HBF 将在 2026 年初取得突破，预计 2027 至 2028 年间正式商业化，与 HBM 一起构成 AI 系统的双引擎。

HBF 与 HBM 在技术原理上相似，均通过 TSV 技术实现多层芯片堆叠，不同之处在于 HBF 采用 NAND 闪存构建，容量更大、成本更低。虽然 NAND 的速度不及 DRAM，但其存储容量可高出 10 倍，通过堆叠上千层芯片，能为庞大的 AI 模型提供充足的数据支撑。金正浩将其形容为“HBM 的 NAND 版本”，是 AI 存储体系中不可或缺的一环。

目前，产业界已出现动作。SanDisk 与 SK 海力士于 2025 年 8 月签署谅解备忘录，计划共同制定 HBF 技术标准，预计在 2026 年下半年推出样品，并在 2027 年初推出首批采用 HBF 的 AI 推理系统。三星电子也已启动自有 HBF 概念研发，力图在数据中心高带宽存储领域占得先机。

金正浩将未来的 AI 存储结构比喻为“智能图书馆”：GPU 内的 SRAM 是最快的笔记区，HBM 是身边的书架，而 HBF 则是容量庞大的地下书库，持续为上层内存和 GPU 提供知识支持。他预期未来 GPU 将集成 HBM 与 HBF，推动计算与存储的深度融合。