韩国GaN外延片技术专家 IVWorks 宣布完成 450万美元的新一轮融资

核心技术：'reGaN' 与外延专长

IVWorks 依托其在磊晶（Epiwafer）领域的深厚积累，正在向多个高端领域扩张：

• 核心技术：基于选择性区域再生长（Selective Area Regrowth）技术的 'reGaN'。

• 技术价值：该技术已通过主要代工厂（Foundry）的认证，能够有效解决氮化镓器件中的接触电阻（Contact Resistance）问题，从而显著提升器件性能和能效。

• 产品平台：

  • 氮化铝镓 HEMT 在碳化硅上（AlN HEMT on SiC）

  • 氮化镓 HEMT 在硅上（GaN HEMT on Si）

  • 垂直氮化镓磊晶片（Vertical GaN epiwafers）

市场应用方向

该公司正在将其技术应用于以下高增长领域：

• 高频通信：瞄准 E-band 和 W-band 频段的射频（RF）应用，主要用于卫星通信（Satcoms）和无线回传（Wireless backhaul）。

• AI 算力供电：切入AI电源交付市场，为包括 HBM（高带宽内存） 和 GPU系统 在内的先进计算平台提供 PoL（负载点）转换器。

官方表态

• CEO Young-Kyun Noh 表示，这笔投资反映了股东对IVWorks技术路线图的信心。公司致力于通过reGaN解决全球合作伙伴的关键技术难题，并通过计划中的IPO建立可持续增长的基础。

速读：

IVWorks 正利用这笔新资金，将其独特的 reGaN 技术从单纯的材料供应扩展到解决高频通信和AI算力瓶颈的关键器件领域，是氮化镓行业在射频和功率电子领域融合应用的一个典型案例。