SK海力士全新V10闪存落地，存储硬件迎来新一轮革新

SK海力士新一代 V10 3D‑NAND闪存已经完成全部生产验证，确定进入量产阶段，堆叠层数迎来明显提升，还规划了后续更高规格的版本，AI产业快速扩张之下，闪存芯片的技术竞赛越来越激烈。

V10闪存的核心改动

前代V9闪存堆叠层数为321层，V10版本直接升级到375层，存储密度提升大约17%。更高的堆叠代表单颗芯片可以容纳更多存储空间，之后固态硬盘的单盘容量会变得更大，同等容量的硬件体积能够做得更小。这套全新方案已经走完测试流程，会正式投入批量生产。

很多人疑惑为什么不直接做到原定的400层。400层堆叠的技术理论方案可行，但是现实生产的阻碍很多，严苛的工艺条件会让芯片良品率大幅下滑，生产成本很难把控。厂商放弃激进方案，优先落地375层的稳妥版本，在掌握成熟工艺之后，再继续冲击480层、604层这类更高规格的闪存。

硬核的技术升级细节

这次最重要的更新是字线材料的替换，原材料钨更换成钼。钼的电阻数值更低，内部电荷填充能力更强，芯片的数据传输速度变得更快，运行功耗随之下降，不管是消费级固态硬盘，还是大型数据中心，都可以收获性能提升、耗电减少的双重收益。

生产设备上采用TEL炉式沉积设备，简化生产流程，降低制造的开销，间接压低后续固态硬盘、存储服务器的终端售价。

AI行业倒逼存储不断迭代

当下AI训练、推理运算，高性能固态硬盘、大型数据中心都需要海量闪存资源，市场需求暴涨，倒逼存储厂商加速迭代闪存方案。海力士规划了清晰的升级路线，从375层的V10闪存，往后推进到480层，最终目标达成604层堆叠。随着层数一步步提升，单颗闪存的存储上限持续突破，能够承载更多的数据运算。

长远来看，堆叠层数提高会带来一连串的变化：存储密度持续上涨，大容量SSD会越来越普及；AI服务器里的闪存硬件成本随之下降，算力设备门槛降低；各大存储企业之间的技术竞争会愈发激烈，600层闪存的全新时代正在慢慢到来，普通用户之后可以用更低的价格买到大容量硬盘。

更期待更低价格的大容量固态硬盘，还是更强性能的AI硬件？

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