SK Hynix 海力士 宣布下半年销售 第二代10nm内存落后三星美光一年

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SK海力士近日宣布，将在提高第一代10nm级工艺(1xnm) DRAM内存芯片产能的同时，今年下半年开始销售基于第二代10nm级工艺(1ynm)的内存芯片，并为下代内存做好准备。

SK海力士首款1ynm工艺产品将是8Gb DDR4-3200芯片，号称相比1xnm工艺可将尺寸缩小20％，并将功耗降低15％。

此外，这颗新的芯片还具备四相时钟机制，有利于提高信号强度、维持高频稳定性，并支持感应放大控制技术(SAC)，有利于减少晶体管尺寸缩小时可能出现的数据错误。

有消息称，SK海力士还会用1ynm工艺制造DDR5、LPDDR5、GDDR6内存芯片，所以尽早部署并量产非常关键。

其实，SK海力士是内存三巨头中最后一家大规模上1ynm工艺的，三星、美光去年就用上了。