铠侠开始出货第10代BiCS FLASH器件样品

铠侠公司宣布已开始出货采用其第10代BiCS FLASH 3D闪存技术的1 Tb三层单元（TLC）存储器件样品。这些器件将主要集成于该公司的企业级和数据中心固态硬盘（SSD）中，进一步丰富铠侠的产品线，以满足人工智能存储日益增长的需求。

通过自第8代BiCS FLASH起采用的创新CMOS直接键合到阵列（CBA）技术以及On-Pitch Select Gate Drain（OPS）技术，第10代技术实现了4.8 Gb/s的NAND接口速度，较第8代提升了33%。通过堆叠332层并提升横向密度，位密度增加了59%。此外，写入和读取功耗效率分别提升了18%和30%，有助于降低数据中心和企业基础设施的功耗。

在其独特的双轴战略下，铠侠正同步推进两条不同的产品线：第9代解决方案以相对较低的投资成本提供高性能，而第10代技术则利用先进的层堆叠技术实现超大容量和卓越性能。