打破内存垄断格局：紫光集团的中国自主研发内存即将问世期待内存降价

在进军NAND闪存之后，紫光集团前几日又跟重庆政府签署了合作协议，将在当地建设内存研发中心及晶圆厂，投资规模尚未公布，2021年将量产国产自主的内存芯片。

紫光集团今年6月份组建了DRAM内存事业部，委任刁石京为紫光集团DRAM事业群董事长，委任高启全为紫光集团DRAM事业群CEO，正式进军内存芯片产业，重庆的工厂预计今年底动工，2021年量产，工期约为两年左右。

对于内存产业，紫光集团觊觎这个市场也不是一天两天了，早前报道称在投资NAND闪存生产为主的长江存储之前，紫光最初打算就是先做DRAM内存的，不过内存的门槛更高，所需的人才、投资要求也更麻烦一些，所以紫光是先做了闪存，现在才正式进军内存。

从紫光之前公布的信息来看，得益于在长江存储等公司上的积累，紫光集团已经组建了一只庞大的科研队伍，存储芯片方面的研发人员超过2000人，这是紫光建设内存工厂、研发生产内存的基础。

目前全球的内存主要控制在韩国三星、SK海力士及美国美光三家公司中，他们占据的内存市场份额高达95%，而且技术也是最先进的，其他国家和地区的公司尚无能与之抗衡的。

从现实情况来看，紫光公司的内存工厂不仅还有2年时间才能量产，而且即便量产了，初期的产能也会非常有限，需要不断解决良率、产能等问题，在全球内存市场每月大约200万片晶圆的产能中，紫光公司未来几年的份额都会非常小，很难在几年内改变内存市场格局。

但是紫光进军内存市场依然让这些公司产生了警觉，尤其是这一年及未来的一两年内，全球内存面临产能过剩的问题，一旦中国公司进入战场，势必会展开价格战，现有的公司非常担心中国公司带来的冲击。

本文经快科技授权转载，原标题《中国自主研发内存即将问世 内存垄断格局要变天了》，作者：宪瑞，未经允许请勿转载。