三星推迟至2030年引入High-NA EUV技术，在1nm制程节点将成为刚需

三星去年引入了首台High-NA  EUV光刻机，安装在华城园区，成为了英特尔（2023年末）和台积电（2024年第三季度）之后，第三家安装High-NA  EUV光刻机的半导体制造商。今年三星又新装了第二台High-NA  EUV光刻机，现阶段更多地、停留在技术研发和试用阶段，还没有用于大规模生产的打算。按照原计划，三星打算在下一代1.4nm制程节点和DRAM芯片生产中引入High-NA  EUV技术。

据TrendForce报道，目前三星基于2nm的SF2工艺在生产方面已逐步走上正轨，计划2029年开始量产初代1.4nm工艺，也就是SF1.4，随后在2030年推出经过改进的SF1.4+，同时还有1nm工艺。有所不同的是，三星推迟引入High-NA  EUV技术，延后至2030年的1nm才加入。

三星代工相关业务负责人表示，对于SF2和SF1.4来说，High-NA EUV技术仍不算成熟，不过到了1nm制程节点会是刚需，预计会成为主流，因此三星正以此为目标与合作伙伴一起推动开发工作。

High-NA   EUV光刻机是具有高数值孔径和每小时生产超过200片晶圆的极紫外光大批量生产系统，用于制造3nm以下的芯片。其提供了0.55数值孔径，与此前配备0.33数值孔径透镜的EUV系统相比，精度会有所提高，可以实现更高分辨率的图案化，以实现更小的晶体管特征。

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