千万级IOPS：铠侠正在开发基于XL-FLASH的超高随机性能SSD

来源——AMP实验室

是否是下一个技术迭代？

NAND 闪存巨头铠侠 KIOXIA 当地时间5日于公司战略会议宣布了其在 AI 时代的中长期增长战略，其中提到该企业正开发一款面向 AI 应用超高速度、超强性能需求的固态硬盘。

这款 SSD 将结合 XL-FLASH 高性能 SLC NAND 和新的固态硬盘主控，在随机读取中可提供 10M IOPS，是现有企业级 TLC PCIe 5.0 SSD 水平（3000+K IOPS）的三倍。铠侠计划在明年下半年实现这一产品的出样。

而在介于存储金字塔 DRAM 和普通 NAND 间的 SCM 层级中，铠侠还计划在 2026 年下半年出样支持 CXL 的 XL-FLASH 存储产品。此外其正与南亚科技联手开发 4F2 布局的氧化物半导体 (IGZO) 通道晶体管 DRAM 内存 OCTRAM，可实现低漏电流和低功耗。

铠侠此次也分享了其 NAND 闪存路线图，未来的 BiCS 10 将达到 332L，最大容量 2Tb，接口速率可达 4800MT/s，同时读取延迟、写入功耗和比特密度方面都将得到改进。

举个例子，曾经的机械硬盘4K随机IOPS大约在300左右，而目前消费级比较常见的PCIe4.0 SSD 西数SN580，它的随机读写性能为600/750K IOPS，PCIe3.0时代经典的铠侠RC20为则为双400K IOPS，但是到了现在PCIe5.0时代，T1梯队旗舰三星9100PRO读写也就是1850/2620K IOPS。

铠侠目前正在开发的这款XL-FLASH SSD达到了当下流行的PCIe4固态13倍的4K随机性能，虽然不如HDD到SSD的飞跃，但是应该也会带来某些层面的巨大进步。