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消费级固态硬盘篇三：联想笔电新“升级”——Union Memory AM6A1 1T评测

一、前言

笔者前段时间购入了ThinkBook 16+笔记本，联想在前期宣发中官宣ThinkBook/小新全系列从512G“升级”到1TB，型号则从以往的三星/西数/海力士OEM盘现在变为来自忆联（Union Memory）的AM6A1，这一变动究竟是升级还是降级呢？为了一探究竟，笔者从笔电上拆下了原装的亿联硬盘祭天，让我们一起看看它的表现吧！

二、开箱&外观

主控：

颗粒：

PCB：

PCB采用了单面双贴布局，厚度控制的较好，适合空间较局促的笔记本用户加装；其PCB的布局虽然较紧凑，但也较为合理。

主控是来自慧荣（SMI）的2269XT，是新一代PCIe 4.0 NVMe SSD主控芯片，采用了12nm工艺，由双核ARM Cortex R8 CPU组成，采用Dramless方案，最高支持1600MT/s频率的颗粒。

NAND为自封颗粒，编号为R1FT2EFYTPIK5，单颗粒512GB，一共两颗，组成1TB容量，具体的颗粒信息有待进一步确认。

三、基本信息

惯例，到手上机先看CDI

CDI抓取到的smart的信息较为有限，故使用smartmontools进一步抓取主控的smart信息。如下所示：

由smartmontools抓取到的Supported Power States可知，Union Memory 6A1主控SMI 2269XT所标示的PS0最大功耗为9.00W，其数值相比同类DRAM-Less产品偏高。

由smartmontools抓取到的信息可知，实际的温度传感器有三个，其中Temperature的值和Temperature Sensor 1的值相同，疑似同一个温度传感器。笔者推测Temperature Sensor 1对应的是颗粒的温度，而Temperature Sensor 2对应的是主控的温度。同时将smartmontools抓取到的温度和CDI的温度进行对比可以发现，CDI温度对应的是Temperature Sensor 1的温度。

通过SMI NVMe Flash ID可进一步得知具体的颗粒信息：

可知6A1采用的是长江存储（YMTC）的3D V3 128L TLC颗粒，也就是代号为X2-9060的TAS颗粒，单Die 512Gb，一共采用了16 Die，每Die接驳1CE，共计16CE通道，正好吃满了2269XT主控的所有通道。

测试完毕时CDI截图：

测试完毕时一共写入16TB左右的数据，健康度下降了1%，参数收紧假设健康度下降2%，粗略估算，当健康度归零时，写入量大概在800TB左右。

四、测试平台及设置

Processor：AMD Ryzen 3700X @ 4.4GHz

Motherboard：Micro Star X570 Gaming Plus（BIOS Verizon：7C37vAE）

System：Windows 10 Professional 21H2 / Centos 8.4.2105

Heatsink：Thermalright TR-M.2 2280

IO Interface：M2_1 slot (From AMD® Processor)

由于测试采用的是AMD平台，相关测试数据可能偏低。

五、基本性能测试

在Windows下对6A1 1T进行了CDM/ASS/HD Tune/PCM8/3D Mark的测试，仅供参考。从纸面性能看，AM6A1虽然号称PCIe 4.0产品，其缓内顺序读写表现强于常规PCIe3.0旗舰，但明显弱于带Dram的PCIe 4.0产品，且距离PCIe 4.0X4的带宽上限相去甚远，与三星/WD等厂商的旗舰PCIe 4.0 OEM产品难以同日而语。

HD Tune中对6A1 1T写入了300GB的数据量，其缓存内读取性能约3000MB/s，写入性能约3300MB/s；缓存外写入性能下降至约1300MB/s，符合采用YMTC 128L X2-9060颗粒的预期。

六、进阶性能验证

为了进一步测试该盘的实际性能情况，在Centos环境下采用FIO对硬盘进行持续和全面的性（大）能（保）测（健）试，同时也是对硬盘本身极限性能进行标定。

(1) 全盘读写

首先肯定是来一套全盘读写项目

由全盘写入结果可知，6A1 1T的SLC Cache大约有285.39GiB，接近全盘容量的1/3，此段写入速度为3320.86MiB/s；第二段的写入速度接近1300MiB/s，维持的大小在147GiB；第三段则是由于主控在后台进行垃圾回收，使得写入速度进一步下降，速度维持在617.42MiB/s左右，直至全盘读取完毕。

而全盘读取较为稳定，保持在3607MiB/s，换算到MB则大约为3782MB/s左右，且全盘读取基本上维持在一条直线，波动不大。

(2) 4KiB全盘跨度随机读写（QD1T1）

(3) 4KiB全盘跨度随机读写（QD32T4）

QD1 T1 /QD32 T4条件下4KiB全盘跨度读取性能一致性良好，随机写入的离散图也做到了相对的集中，但以上两个条件下的随机写入IOPS均表现较差，也是笔者目前测过DRAM-Less以来最烂的性能表现；

QD1 T1下的随机读取IOPS达到了8539（33.4MB/s），随机写入的IOPS为7330（29.3MB/s），表现一般。随机读取的QoS延迟整体表现良好，但99.99% QoS延迟稍高；随机写入的QoS延迟表现也是类似，99.99% QoS延迟及最大延迟表现较差；

QD32 T4下的随机读取IOPS达到了144K（590MB/s），随机写入的IOPS为7982（31.9MB/s）。随机读取下的延迟表现一般，最大延迟稍高；随机写入IOPS并未有效收敛，整体随机写入延迟表现非常差。

(4) 4KiB全盘跨度随机7读3写（QD32T4）

4KiB下全盘跨度随机7读3写的IOPS均未有效收敛。随机读取的IOPS为6842（28MB/s），随机写入的IOPS为2931（12MB/s），总IOPS为9773，性能表现极其稀烂，且无论是随机读取还是随机写入，6A1延迟表现均非常差。

(5) SLC Cache写入测试

在此阶段，分别对硬盘进行20%/40%/60%/80%的预填充，静置15min让主控进行GC(Garbage Collection)操作，然后再对剩余空间进行顺序写入，测试其缓内及缓外顺序写入情况。

① 预填充20%

② 预填充40%

③ 预填充60%

④ 预填充80%

在SLC Cache的测试环节中，预填充分别为20%/40%/60%/80%时，SLC Cache大小依次为264.32GiB/209.81GiB/144.56GiB/80.34GiB，SLC Cache的大小基本上为剩余空间的1/3，且并未出现SLC Cache失效的现象；写出SLC Cache后，缓外速度基本上维持在610MiB/s到620MiB/s左右，且存在一定程度的波动。

(6) 稳态顺序读写

在此阶段，先对6A1 1T进行了一次全盘顺序写入后，再进行顺序写入1800s和顺序读取1800s测试项目。

结果如下：

在长时间稳态顺序读写中，全盘顺序读取波动较为稳定，均值在3607MiB/s（3782MB/s）左右；但由于6A1的固件策略较为激进，垃圾回收（GC）操作较为积极，使得其1800s下的写入速度波动程度较大，全程平均的读写速度在1054MiB/s（1105MB/s）左右，并未完全发挥16CE YMTC 128L X2-9060 TLC颗粒直写的性能。