移动固态硬盘 篇一：HIKSEMI Elite 8 1T—— 成品方案PSSD简测

一、 前言

PSSD领域一向是一滩死水，上到三星下到一众大小厂商都在摸鱼；采用雷电方案的PSSD价格居高不下，基于USB3.1/3.0的PSSD方案也都在近几年逐渐趋于成熟；近两年以来，随着20Gbps桥接主控的问世和一众老旗舰NVMe硬盘+桥接主控方案的PSSD的下放，在市面上涌现出了一大批来自国内的新方案。笔者近期也入手了来自海康存储的Elite 8 PSSD成品固态硬盘，趁此次机会，让我们一起来简单看下这款PSSD的性能吧！

二、 开箱&外观

包装：

盘体：

笔者本次到手的是HIKSEMI Elite8 1T。Elite 8 PSSD整体包装风格较为简练，但配件相对齐全，配有A to C和A to C两种数据线，基本上能够涵盖日常的使用需求；硬盘本体质感优秀，整体观感具有浓郁的商务风格，并采用了双拼色的设计，边角过渡圆润，适合外出携带。

三、 基本信息

惯例，到手上机先看CDI

CDI上，HIKSEMI Elite 8的接口和传输模式均为NVMe Express1.4，说明其选取的SSD主控产品较新，且采用支持NVMe协议的主控，笔者猜测采用的应该是联芸（Maxio）的1202主控；

从smartmontools可见，由于USB桥接器的阻挡，无法进一步地准确识别Elite 8相关的smart信息。

四、 测试平台及设置

Central Processing Unit：AMD Ryzen 3700X @ 4.4GHz

Motherboard：Micro Star X570 Gaming Plus（BIOS Verizon：7C37vAE）

Software：Windows 10 Professional 22H2

IO Interface：USB 3.2 Gen 2 Type-C Ports (From AMD® Processor)

Power Measurement Equipment：Power-Z KM001C

由于测试采用的是AMD平台，相关测试数据可能偏低。

五、 基本性能测试

从CDM、AS SSD和HD Tune的结果可见，Elite 8在轻负载及全盘顺序读写下表现基本能够达到10Gbps的带宽上限，但距官方宣称的1060MB/s还是有点距离，笔者猜测大概率是因为测试平台而受到一定程度的限制；且其300GB顺序读写和4KiB读写在PSSD中表现较好，基本保持稳定；混合读写部分，由于受限于USB桥接主控，其4KiB深队列混合读写表现不佳，高强度混合读写使用可能存在卡顿。

在HD Tune 300G连续读写测试过程中，笔者也通过HWINFO软件抓取相应的温度传感信息，如上图所示，可以发现Elite 8存在3个温度传感器，其中磁盘温度和磁盘温度2温度数值基本重合，对应的应该是硬盘主控的温度，磁盘3温度在写入的过程较高，对应的应该是硬盘颗粒的温度。

300G连续写入时，Elite 8整体写入曲线较为稳定，并未出现大幅度的下降，写入速度基本上维持在700~800MB/s左右上下波动，写入全程主控的平均温度维持在43°C左右，颗粒的平均温度维持在56°C左右；写入结束时，主控的温度达到了45℃，颗粒的温度达到了65℃。

300G连续读取时，Elite 8整体的读取曲线维持在一条直线，读取结束时主控的降至41℃，颗粒的温度为57℃。

相较于自行动手测试，PCMark 8是目前最接近实际使用环境的模拟测试软件，同时也是一套标准化及流水化的测试流程。其中Storage测试项目中涵盖了游戏、办公、图形处理等几个子项目，该测试项目是通过在Adobe Creative Suite、Microsoft Office以及一些常见游戏中记录到的轨迹来测SSD存储设备的性能。

笔者此次也通过PCMark 8软件来对空盘状态下的Elite 8进行测试。由于外接PSSD的读写速率受限于桥接主控性能和接口带宽，相较于直接挂载在主板上的NVMe硬盘，会有一定程度的读写损耗，反映到实际PCMark 8的测试项目中便是加载时间相对延长，以及带宽速率相应地偏低。经对比，Elite 8的加载时间相较于直接挂载的NVMe硬盘，有2~20s不等的加载延迟差距，尤其在Adobe相关的项目上，加载延迟差距更大，但对于商务等用途的日常使用环境来说，感知不为明显！

3DMark存储测试项目是通过专门的组件测试来测量SSD和其他存储硬件的游戏性能。它支持所有最新的存储技术，并测试实际、真实世界的游戏性能，如加载游戏、保存进度、安装游戏文件和录制游戏视频流等活动。同样的，在此项测试环节中，笔者也在空盘的c测试条件下测试Elite 8的加载速率及平均存取时间。最终Elite 8存储基准测试得分972分，低于平均水平，但在笔者看来，该项表现也在合理范围之内，毕竟这类PSSD存储产品的带宽如上文所述，主要受限于桥接主控性能和接口带宽。

为了更接近于日常的使用工况，笔者在此也通过实际的大文件复制来一窥Elite 8真实的读写速度，其中源文件存储盘是来自美光（Micron）的7450 Pro 1920GB M.2 22110，该盘的读取速度远超Elite 8的读取带宽上限！首先登场的是73.6GB的原神安装文件，来模拟“大文件+小文件”共存的写入工况：

由Windows 10下文件资源管理器显示的速度曲线可以观察到，在开始的一段时间内，HIKSEMI Elite 8针对小文件的写入速度维持在300MB/s左右，当写入超过一半大小后，此时开始传输大文件，相应的写入速度也提升至610MB/s左右，表现良好。

接着，笔者也通过向盘内拷贝近90GB的各类系统安装镜像文件，以此模拟纯大文件的顺序写入工况，如下所示：

由此可见，无论是写入开始，还是直至最终写完，Elite 8 1TB的写入速度基本上维持在600MB/s以上，写入曲线非常稳定，没有出现较大的波动，表现优秀。至于为何大文件拷贝的顺序写入速度并未达到CDM/ASS等软件所测得的写入速度，这或许主要归因于较为低效的Windows 文件资源管理器。

六、 功耗测试

为了更好地读取到PSSD在不同工况下的功耗情况，笔者在此部分采用来自Power-Z，型号为KM001C的功耗仪，期望将相关的功耗数据通过图表量化的方式更好地展现出来！

(1) 上电功耗

本次测试中，利用仪器监控了Elite8 PSSD在上电后20s的功耗表现，可见其最大上电功耗达到3.439W，稳定后的耗约1.183W，在OTG供电小于5V 1A的设备上可能存在供电不足问题。

(2) 读取功耗

在此部分，笔者通过Fio软件对HIKSEMI Elite 8的读取速率进行限制，在QD32 TC1条件下测试全盘顺序读取，并采集其稳定后的功耗数据。由下图可见，Elite 8其Idle功耗约0.7W，最大功耗约1.96W，最大读取速率为968MiB/s（约1015MB/s），与上文CDM QD8 T1测得的顺序读取速率相吻合，也进一步说明Power-Z KM001C功耗计所带来的性能损失及误差可基本忽略不计；其中，当读取速率超过100MiB/s后，随着读取速率的增加，Elite 8的功耗并未见明显的线性增长。

七、 全盘读写&温控测试

在此项测试中，笔者通过fio软件对HIKSEMI Elite 8 1T进行全盘读写测试，并通过HWINFO软件记录相应的温度传感器信息。

(1) 写入性能测试及相应的温度监控

(2) 读取性能测试及相应的温度监控

从实际温度数据可以推测，监测到的温度传感器1对应的为主控温度，温度传感器2对应的温度为颗粒温度。在顺序写入过程中，主控温度阶梯式升高至43℃并保持稳定，未出现较大的波动，颗粒温度逐渐升高并维持在63℃左右；写入速率整体呈现两段式曲线，当写入超过全盘容量80%时，硬盘进入了缓外垃圾回收（GC）模式，此时硬盘速度下降至约180MiB/s，此时颗粒的温度也下降至56℃左右，并出现轻微的上下波动，此时全盘写入的平均速度为469MiB/s（492MB/s）。全盘读取时，读取速度基本稳定在964MiB/s（1010MB/s），并未出现明显的波动，此时主控温度全程维持在44℃，颗粒温度则基本上维持在54~55℃左右，发热表现较为良好。综合可见，Elite 8的温控策略较为保守，整体使用温度较为舒适。

八、 结论

1、HIKSEMI Elite 8整体设计风格偏商务化，适合需要经常出差旅行的商务人士用于高速便携存储；

2、Elite 8基于NVMe 1.4新型的主控方案，其发热及峰值读取性能表现良好，但其写入速率的稳定性受到桥接主控的影响，出现了较大程度的波动；综合考虑其市场售价及性能，整体性价比较优；

3、Elite 8整体功耗较低，考虑到其峰值功耗超过3W，用于手机、平板等便携设备需要注意支持的OTG功率。

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