三星和SK海力士在HBM领域的领先地位受到挑战，台积电等主导混合键合技术

目前来自韩国的存储器巨头三星和SK海力士在HBM领域处于主导地位，两者加起来占据着大部分的市场份额。不过随着HBM的迭代，三星和SK海力士的地位似乎不是那么稳固了。有分析指出，包括混合键合在内与HBM相关的先进封装技术大多数关键专利，并不在三星和SK海力士手上，而是由台积电（TSMC）等企业掌握。

据The Elec报道，近日有报告分析了HBM领域的专利情况，涵盖了HBM混合键合和玻璃基板技术，称2026年起HBM相关专利纠纷的风险会逐渐上升。随着混合键合技术有望进入下一代HBM，台积电和美国的Adeia凭借其广泛的专利组合将占据有利位置。

台积电不但拥有大量涉及混合键合技术的专利，而且高质量专利占比也是最高的，另外手上还有大批混合键合设备。Adeia也是最具影响力的专利持有者之一，拥有关键的基础知识产权，包括低温直接键合技术以及从Ziptronix收购的直接键合互连（DBI）专利，可支持高精度键合工艺，能够同时实现金属间与绝缘体间的连接。

以长江存储（YMTC）为首的中国大陆厂商也在崛起，成为混合键合领域的一支重要力量。长江存储同样拥有许多相关专利，四年前率先将名为“晶栈（Xtacking）架构”的混合键合技术应用于3D NAND闪存。之前有报道称，三星打算与长江存储合作，从第10代V-NAND闪存开始采用后者的专利混合键合技术。

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