三星加快定制HBM开发：打算在基础裸片引入2nm工艺

AMD和英伟达都将在2026年的下一代AI加速器中首次采用定制HBM，均为基于HBM4的设计，以提升性能，降低延迟。过去HBM的基础裸片（Base  Die）都是使用DRAM工艺制造，不过从HBM4时代开始将转移到代工厂，改用逻辑芯片的工艺，以解决高性能计算中的热量、信号延迟和能效问题。

据TrendForce报道，近日有消息人士透露，三星打算采用最先进的2nm工艺来制造定制HBM所需要的基础裸片。

随着定制HBM时代的到来，自身拥有代工厂的三星，比起要寻求台积电帮助的SK海力士和美光，预计会从内部生产中获得潜在的成本优势，而且产能分配上也更为灵活，早早就确定以4nm工艺生产基础裸片。现在三星更为激进，直接提供2nm的解决方案。

SK海力士很早就宣布与台积电合作共同开发HBM产品，早期规划基础裸片采用5nm和12nm制造。随着高性能计算（HPC）需求飙升，对人工智能（AI）工艺负载提出了更高的要求，促使台积电再进一步，在定制HBM的基础裸片上导入3nm工艺。传闻英伟达已开始开发自己的HBM基础裸片，打算采用的就是台积电的3nm工艺，计划在2027年下半年进行小批量试产。

将基础裸片转换到代工厂将对HBM产品带来成本压力，美光打算推迟到HBM4E时代才转成台积电，暂时还不清楚制造工艺的选择。

超能网**

**关注我们，浏览热门硬件评测

随时查看最新天梯榜