佳能发布新型 2nm光刻机，挑战ASML

近期，佳能公布了一款名为FPA-1200NZ2C的纳米压印半导体制造设备，以纳米压印光刻（NIL）技术为基础，声称实现了目前最先进的半导体工艺。

据悉，NIL技术可以形成最小线宽为14nm的图案（相当于当前5nm节点工艺），并通过进一步改进掩模，有望支持最小线宽为10nm的图案（相当于2nm节点工艺）。

相较于ASML的光刻机（EUV），该佳能设备更类似于印刷而非投影。NIL设备首先通过将掩模直接压在晶圆的抗蚀剂层上，完整地将电路图案转移到晶圆上。

随后，利用佳能自家的喷墨技术，在适当位置添加适量抗蚀剂，并最终将掩模印在涂有抗蚀剂的晶圆上进行精确曝光。通过单一压印，即可形成复杂的2D或3D电路图案。

官方称该设备结构简单，由于无需大规模特殊波长光学系统和真空腔，NIL技术基础的设备体积大幅缩小。

此外，该设备可以使用更低功率来形成精细的图案，相较于传统的EUV投影曝光设备，在形成图案时的功耗可降低至1/10，并显著减少碳排放。该设备采用新的环境控制技术，可以抑制内部细颗粒的产生和污染，实现多层半导体制造所需的高精度对准，并减少因颗粒引起的缺陷，从而实现微小且复杂的电路制造，为尖端半导体器件制造做出贡献。

最后，官方表示该设备还可应用于半导体器件以外的制造，例如生产具有数十纳米微结构的XR超透镜等。

官方表示，该技术采用与传统投影曝光技术不同的方式来生成电路图案，未来计划扩大该类半导体设备的种类，以满足广泛的市场需求。