高盛：中国光刻机只能造65nm！落后ASML 20年

快科技9月2日消息，近些年，我国在半导体芯片领域不断努力追赶，但差距依旧比较大，也是被卡脖子最严重的科技产业。

根据著名投资银行高盛最新发布的报告，他们认为中国的国产光刻机只能生产65nm工艺的芯片，相比国际巨头ASML落后足足有大约20年！

高盛称，虽然中芯国际已经可以生产7nm工艺芯片，但极有可能还是利用了ASML比较老旧的DUV深紫外光刻机，因为中国还不具备制造这种设备的能力，更别提ASML已经发展了两代EUV极紫外光刻机。

目前，ASML最新的High-NA EUV光刻机已经开始交付给Intel、台积电、三星，对于1.4nm以下的工艺至关重要。

它重达180吨，体积如同双层巴士，堪称全球最昂贵的半导体制造设备，同时也是最贵的，单台价格估计超过4亿美元。

高盛还指出，ASML光刻机从65nm发展到3nm及以下，用了长达20年的时间，投入了400亿美元的研发与资本费用。

因此高盛认为，综合考虑中国当前的半导体技术水平、先进工艺研发的巨大投入、全球产业链的复杂性、高风险的地缘因素，中国国产光刻机不可能在短期内追上西方先进水平。

2025年第二季度，ASML销售额达77亿欧元，同比增长23.2％，毛利率达到53.7％，净利润23亿欧元，同比增长45.2％。

高盛：中国光刻机只能造65nm 落后ASML 20年！

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