智能手机或引入低延迟大容量DRAM设计：类似HBM集成，以支持设备端AI运算

智能手机内部空间有限，所以高性能的高带宽内存（HBM）很难安装在上面，更不用说制造商还要考虑散热问题。不过随着人工智能（AI）时代的到来，设备端计算需求的增加，使得智能手机制造商开始思考新的解决方法。

据Wccftech报道，华为和小米都打算引入低延迟大容量DRAM设计，称为“LLM”，以支持SoC和NPU。虽然不是真正的HBM，但是选择了类似的思路，最主要是为了提供更大的内存带宽，预计提升幅度为1.5倍，而且功耗能降低50%。

其实更早之前就有消息称，华为正在开发适用于智能手机的HBM设计，而苹果也在准备类似的技术，打算应用到iPhone 20系列上。另外三星也做过相关研究，通过复杂的封装技术完成该设计。

两个月前还有报道称，高通选择与长鑫存储（CXMT）合作，开发用于智能手机的定制DRAM。传闻高通希望通过引入新的设计，提升NPU的性能，实现真正的设备端AI运算，不过具体情况暂时还不太清楚。

无论如何，这些设计看起来应该都不是大家熟悉的HBM，不过目的都是一致的，即在智能手机上实现更强的计算性能，从而增强AI体验。如果一切顺利，应该不会等太久，就会看到智能手机制造商拿出最终的成品。

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