再探biwin HX100 6400 C30

6400MT/s 是AMD 9000系列的新甜点！

此内存之前测试过，但有个细节笔者并没有详细交待。这里做个补充。

采用 海力士A-die[单颗粒2GB]，支持XMP或EXPO；

第一档[XMP1] 6400 30-37-37-76-1.400V
第二档[XMP2] 8000 38-48-48-126-1.450V
第三档[EXPO1] 6400 30-37-37-76-1.400V

细节一：当年在13700KF搭配Z790吹雪S的情况下，开启XMP2，即8000MT/s未通过压力测试，笔者还以为此XMP设置有问题。

此次再AMD平台上[9850X3D+B650M小雕]轻松实现：直接开启XMP2，最终取得成绩如下图：

说明该内存预设是没有任何问题的。

备注：单开启XMP，不做任何设置可以通过压力测试，但如果想要压低小参[如上图]，需要设定3个电压：

VCORE SOC 是内存控制器电压设定为1.15V；

将DDR_VDD Voltage和DDR_VDDQ Voltage都设定为1.45V。

[修订于2026/08/07]

下面我们尝试挑战下9000系列新甜点，以最佳成绩做说明。

将FCLK设置为2133MHz；
备注：Infinity Fabric Frequency and Dividers（简称FCLK/IF总线频率与分频器）‌
将UCLK DIV1 MODE选项处于UCLK = MEMCLK；
此时可实现FCLK:UCLK:MCLK=1:1.5:1.5的同步最优状态，大幅降低内存延迟。
VCORE SOC 是内存控制器电压，建议设定为1.25V。

备注：1.2V是上面参数未通过测试。
将DDR_VDD Voltage和DDR_VDDQ Voltage都设定为1.45V

暂时成绩6400 28-38-38-76@1.45V。

最终成绩6400 28-37-37-76@1.45V；如下图：

备注：为了实现双通道，需要将VCORE SOC 是内存控制器电压设定为1.28V；单通道上面的设置即可。

更新于2026/08/07