黑屏开不了机？这根内存的超频潜力藏得太深

一根“点不亮”等待返修的内存静静地躺在那里，

一个声音：测测吧，万一是好的呢。

于是有了本文。

患者：劲芯16G 5600 C40铠甲，AMD平台[9850X3D+B650M小雕]，直接开启expo；

备注：spd信息，expo时电压设置似乎空缺；但不影响通过稳定性测试。

一时手痒，调整下参数吧；如下图：

将FCLK设置为2000MHz；

备注：Infinity Fabric Frequency and Dividers（简称FCLK/IF总线频率与分频器）‌

将UCLK DIV1 MODE选项处于UCLK = MEMCLK；
此时可实现FCLK:UCLK:MCLK=1:1.5:1.5的同步最优状态，大幅降低内存延迟。
VCORE SOC 是内存控制器电压，建议设定为1.25V。
将DDR_VDD Voltage和DDR_VDDQ Voltage都设定为1.35V

最终成绩6000 34-40-40-80@1.35V。

以5600的价格买到该内存，性价比拉满；好评！

在intel平台上压了压小参，根据该内存的表现，猜测该内存采用的应该是三星颗粒。

和之前测试的 海盗船复仇者32G 6000 Z40 ver 4.63.13[三星32Gb M-die颗粒] 表现一致。

推理过程：

美光颗粒，小参amd平台会不如intel；排除，

海力士颗粒，小参俩平台一致，而非CL小参可以压到36或以下；排除。

目前所有的测试，有如此表现的只有三星颗粒。