先于东芝BiCS量产：SAMSUNG 三星 开始量产第三代V-NAND 3D闪存

在闪存领域，SAMSUNG（三星）和intel（英特尔）在CPU业界的地位差不多，各项技术都走在前头，但是不怎么愿意拿出来推动降价。比如可以降低成本、大幅缩减芯片体积的3D闪存技术，三星的V-NAND就领先了其他厂商两年时间，可是价格上也一直领先。850EVO的TLC卖出了MLC的价格，掉速问题更引起了消费者的反感。前不久TOSHIBA（东芝）宣布成功研发BiCS 3D闪存，达到单芯片256Gb容量。今天三星马上就正式宣布了量产第三代V-NAND 3D闪存的消息，与东芝的BiCS同样是48层堆叠，而且公布的时间点颇为微妙。

这次的第三代V-NAND闪存仍然是3bit MLC（即TLC）规格，相比2014年8月公布的第二代V-NAND，闪存颗粒堆叠层数从32层增加到了48层，单Die的容量则从128Gb增加到了256Gb，实现了翻倍。这意味着第三代V-NAND闪存产品用于固态硬盘等产品之后，其最大容量也能够翻倍，我们应该很快就能够看到2.5英寸的4TB固态硬盘了。