华为原装氮化镓超薄充电器

氮化镓（GaN）是新一代宽禁带半导体的一种。使用氮化镓材料制备的功率半导体器件，拥有大于3.4ev的禁带宽度，使其在电路中允许更高的开关频率和更低的导通电阻。

更高的开关频率允许在转换功率不变的情况下使用更小体积的变压器，同时更低的导通电阻使得功率器件的发热量大大减少，可以省去庞大的散热片。种种这些，使得电源整机尺寸减小而达到了功率密度提升的目的。

氮化镓充电器与普通充电器，在相同尺寸下，氮化镓充电器的输出功率更大。在输出功率相同的情况下，氮化镓充电器的体积明显更小。