台积电用非顶尖的光刻机，却能领先拥有最先进设备的三星与英特尔。这揭示了芯片制造的复杂性远超想象。探讨国产芯片在短期内取代台积电的可能性，需要正视从设备到材料的全产业链鸿沟，而非仅仅聚焦于光刻机。
智能速览
台积电用次级光刻机，性能反超拥有最先进设备的三星与英特尔。
三星和英特尔即便拥有顶级设备，在良率和制程上仍被台积电甩开数年。
国产芯片需从零构建完整产业链，包括光刻机、材料、测试机具等。
即便实现全产业链自主，也只是达到“低配版”三星或英特尔的水平。
目前我们连成熟可靠的DUV光刻机尚未完全攻克，与台积电差距巨大。
精华内容
追赶台积电的道路远比想象中漫长，它不只是单一设备的竞赛，而是一场涉及整个工业体系的马拉松。让我们深入剖析，真正的差距究竟体现在哪里。
领先的本质
当前，ASML最先进的High NA EUV光刻机仅有英特尔和三星拥有，而台积电并未配备。然而现实却是，台积电使用相对落后的设备，在制程和良率上全面超越拥有顶级光刻机的对手。这种优势并非源于硬件的领先，而是体现在工艺技术、生产管理经验等软实力上，形成了以“年”为单位的代际差距。这表明芯片制造的成功，远不止是采购一台先进机器那么简单。
产业链的鸿沟
对于国产芯片而言，挑战远不止一台光刻机。要实现真正的自主可控，必须构建一个完整的产业生态。这意味着需要攻克从光刻机到数百种相关机台、各类测试工具，再到各种高纯度原材料的所有环节。即便付出了巨大努力成功构建了这套体系，也仅仅是达到了当前三星和英特尔的起点，成为一个“低配版”的追赶者，前路依然漫长。
现实的差距
将目光拉回现实，台积电即将接收下一代High NA EUV光刻机，继续扩大其技术领先优势。相比之下，我们不仅尚未掌握最先进的EUV技术，甚至连成熟稳定、经久耐用的DUV光刻机都还未完全实现自主生产。在这种巨大的技术落差下，讨论“三年内取代台积电”显然是不切实际的。正视差距，是迈向追赶的第一步。
芯片制造是全球化协作的结晶，单打独斗难行其远。与其设定不切实际的目标，或许更应思考如何融入全球产业链，在合作中寻求突破。这条路，又该如何走呢？
关键评论
有网友赞同，不撞南墙不回头，而现实中的“南墙”可能比想象的更坚固。
另有观点提出，既然台积电能用旧设备领先，那用更旧的设备挑战台积电是否也行得通？
