英特尔宣布已安装全球最先进光刻机，第二代High-NA EUV将用于Intel 14A工艺

2023年末，ASML向英特尔交付了首台High-NA EUV光刻机，型号为TWINSCAN EXE:5000的系统。英特尔将其作为试验机，于2024年月在美国俄勒冈州希尔斯伯勒的Fab D1X完成安装。这里是英特尔半导体技术研发基地，可以更好地了解High-NA EUV设备的使用，获得宝贵的经验。

英特尔宣布，已安装了新的TWINSCAN EXE:5200B系统。这是目前全球最先进的光刻机，属于第二代High-NA EUV，将用于Intel 14A制程节点。在ASML的合作下，已完成Intel 14A在英特尔晶圆厂的验收测试，以提高晶圆产量。

TWINSCAN EXE:5200B在标准条件下，产量达到了每小时175片晶圆，英特尔计划做进一步调整，提升至每小时200片晶圆以上。新系统还提升了套刻精度，达到了0.7nm，这是建立在英特尔过去一年多对High-NA EUV光刻机使用经验之上。

英特尔表示，High-NA EUV是其晶圆代工技术库中的重要能力，结合了自身在掩模、蚀刻、分辨率增强和计量等相关领域的技能，实现了当今芯片所需的更精细晶体管细节。对设计师来说，这带来了更灵活的设计规则，减少步骤和掩蔽次数的能力意味着流程更简化，良品率更高，而且时间更短。 目前英特尔仍处于早期阶段，但这标志着在为客户提升效率与生产力方面取得了积极进展。

在上周的2025 IEEE IEDM上，英特尔还与imec合作展示了对2DFET材料氧化物帽层，核心创新是选择性凹陷刻蚀。

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