JEDEC计划放宽HBM高度限制：最高可至900微米

去年4月，JEDEC固态技术协会发布了高带宽内存（HBM）DRAM新标准：HBM4。其中JEDEC固态技术协会放宽了HBM4在高度方面的要求，从过去HBM3E的720微米放宽至775微米，以便存储器制造商可以在现有的键合技术中实现16层堆叠，无需转向新的混合键合技术。

据TrendForce报道，随着HBM的迭代及性能要求的提升，JEDEC固态技术协会考虑再次放宽HBM的高度限制，可能提高至900微米。这是未来缓解存储器制造商的生产瓶颈，支持下一代HBM产品更快地进入大规模生产，不但能降低成本，也提升了良品率。

目前无论是三星的TC NCF技术还是SK海力士的MR-RUF技术，都是使用凸块实现层与层之间的连接。要实现更多层数的堆叠，厚度必然会继续增加，现有的技术在原限定高度下很难实现这样的操作。混合键合技术不需要凸块，通过板载芯片和晶圆直接键合，让层与层之间更加紧密，以减少封装厚度。不过混合键合技术尚未完全成熟，而且相比现有的键合技术过于昂贵。

如果将HBM的高度要求放宽，那么利用现有技术就能支持更多层数。不过业界普遍认为，最终存储器厂商都不可避免地引入混合键合技术，这对于20层或以上的堆叠至关重要。JEDEC固态技术协会改变HBM的高度限制要求，一方面为混合键合技术争取到了更多的开发时间，另一方面也是为了加快下一代HBM的商业化进程。

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